季華實驗室劉超暉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉季華實驗室申請的專利單光子雪崩二極管、光電探測器陣列及圖像傳感器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115588708B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211265950.8，技術領域涉及：H10F30/225；該發明授權單光子雪崩二極管、光電探測器陣列及圖像傳感器是由劉超暉;蘭瀟健;馬四光;馬靜;肖鵬設計研發完成，并于2022-10-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本單光子雪崩二極管、光電探測器陣列及圖像傳感器在說明書摘要公布了：本公開涉及一種單光子雪崩二極管、光電探測器陣列及圖像傳感器。該單光子雪崩二極管包括襯底；所述襯底上依次層疊設置有反射裝置、半導體器件和微透鏡；在垂直于所述襯底的方向上，所述反射裝置包括內凹的弧形反射結構；所述內凹的弧形反射結構的弧度范圍為5度?60度。本公開提供的技術方案，反射裝置包括內凹的弧形反射結構，該弧形反射結構能夠將到達反射裝置的光反射回去，使得紅外光再次返回至半導體器件，被半導體器件二次吸收，從而提高探測靈敏度。同時，內凹的弧形反射結構可以起到聚光的作用，以避免反射光照入相鄰的單光子雪崩二極管中而引起光學串擾問題，進而可以提高單光子雪崩二極管的探測精度。
本發明授權單光子雪崩二極管、光電探測器陣列及圖像傳感器在權利要求書中公布了：1.一種單光子雪崩二極管，其特征在于，包括襯底；所述襯底上依次層疊設置有反射裝置、半導體器件和微透鏡；在垂直于所述襯底的方向上，所述反射裝置包括內凹的弧形反射結構；所述內凹的弧形反射結構的弧度范圍為5度-60度；所述反射裝置包括多層第一絕緣層；每層所述第一絕緣層內設置有第一反射層；在垂直于所述襯底的方向上，多層所述第一反射層形成所述內凹的弧形反射結構；沿著所述襯底指向所述半導體器件的方向上，所述第一反射層與所述襯底之間的夾角逐漸增大。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人季華實驗室，其通訊地址為：528200 廣東省佛山市南海區桂城街道環島南路28號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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