深圳市國微電子有限公司杜明獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳市國微電子有限公司申請的專利一種耐高壓防護器件以及制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114899218B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210466661.8，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種耐高壓防護器件以及制作方法是由杜明;裴國旭;李會羽;陳錫均設計研發完成，并于2022-04-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種耐高壓防護器件以及制作方法在說明書摘要公布了：本申請適用于半導體器件技術領域，提供了耐高壓防護器件，包括襯底、掩埋層以及外延層，襯底、掩埋層以及外延層依次層疊設置；基于外延層，由外延層邊緣任一點指向中心點方向依次設置有第一阱以及高壓阱；并在第一阱上設置有第一有源區；高壓阱具有三個封閉的環形空置區域，在三個環形空置區域分別設置有第二阱、第三阱以及第四阱；并在第二阱、第三阱以及第四阱上均設置第二有源區、第三有源區以及第四有源區；在高壓阱上設置有第五阱，在第五阱設置有第五有源區定，從而解決了現有技術中SCR器件無法應用于超高耐壓場合的技術問題。
本發明授權一種耐高壓防護器件以及制作方法在權利要求書中公布了：1.一種耐高壓防護器件，其特征在于，包括：襯底；掩埋層；外延層，所述襯底、所述掩埋層以及所述外延層依次層疊設置；基于所述外延層，由外延層邊緣任一點指向中心點方向依次設置有第一阱以及高壓阱；并在所述第一阱上設置有第一有源區；所述高壓阱具有三個封閉的環形結構，所述環形結構內部為空置區域，在三個所述空置區域分別設置有第二阱、第三阱以及第四阱；并在所述第二阱、所述第三阱以及所述第四阱上均設置第二有源區、第三有源區以及第四有源區；在所述高壓阱上設置有第五阱，在所述第五阱設置有第五有源區；所述襯底、所述外延層、所述第一阱、所述第二阱、所述第三阱、所述第四阱、第一有源區以及所述第三有源區的摻雜類型為第一類型；所述掩埋層、所述第五阱、所述第二有源區、所述第四有源區以及所述第五有源區的摻雜類型為第二類型；所述第一類型與所述第二類型不同。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市國微電子有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區高新南一道015號國微研發大廈六層A；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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