深圳原子半導體科技有限公司方石獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳原子半導體科技有限公司申請的專利光編芯片反射性能的仿真方法、裝置、存儲介質和設備獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114722588B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210284632.X,技術領域涉及:G06F30/20;該發明授權光編芯片反射性能的仿真方法、裝置、存儲介質和設備是由方石;王萌設計研發完成,并于2022-03-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本光編芯片反射性能的仿真方法、裝置、存儲介質和設備在說明書摘要公布了:本發明提供一種光編芯片反射性能的仿真方法、裝置、存儲介質和設備,所述方法包括:獲取待仿真光電編碼芯片的尺寸參數和材料信息,以及對應的碼盤的三維結構;獲取待仿真光電編碼芯片的元器件的結構參數,以及光電元器件的圖像信息;根據待仿真光電編碼芯片的尺寸參數、碼盤的三維結構和元器件的結構參數,仿真出待仿真光電編碼芯片的3D結構件;再進行光學仿真,得到待仿真光電編碼芯片的光強分布圖;根據光強分布圖和光電元器件的圖像信息進行聯合仿真,得到光電元器件的光強仿真分布關系;將光強仿真分布關系與光強理想分布關系進行比對,得到待仿真光電編碼芯片的反射性能仿真結果。本發明可以幫助用戶提高反射式光電編碼芯片的設計效率。
本發明授權光編芯片反射性能的仿真方法、裝置、存儲介質和設備在權利要求書中公布了:1.一種光編芯片反射性能的仿真方法,其特征在于,包括:獲取待仿真光電編碼芯片的尺寸參數和材料信息,以及所述待仿真光電編碼芯片對應的碼盤的三維結構;獲取所述待仿真光電編碼芯片的元器件的結構參數,以及所述元器件中,光電元器件的圖像信息;根據所述待仿真光電編碼芯片的尺寸參數、所述碼盤的三維結構和所述元器件的結構參數,仿真出所述待仿真光電編碼芯片的3D結構件;根據所述待仿真光電編碼芯片的3D結構件、所述待仿真光電編碼芯片的材料信息和所述元器件的結構參數進行光學仿真,得到所述待仿真光電編碼芯片的光強分布圖;根據所述光強分布圖和所述光電元器件的圖像信息進行聯合仿真,得到所述光電元器件的光強仿真分布關系;獲取所述待仿真光電編碼芯片的光電元器件的光強理想分布關系;將所述光強仿真分布關系與光強理想分布關系進行比對,得到所述待仿真光電編碼芯片的反射性能仿真結果;其中,所述根據所述待仿真光電編碼芯片的3D結構件、所述待仿真光電編碼芯片的材料信息和所述元器件的結構參數進行光學仿真,得到所述待仿真光電編碼芯片的光強分布圖的步驟,包括:獲取所述碼盤的材料種類;根據所述碼盤的材料種類和所述待仿真光電編碼芯片的材料信息,獲取特征光參數;將所所述待仿真光電編碼芯片的3D結構件、所述待仿真光電編碼芯片的材料信息和所述元器件的結構參數導入到Zemax;將所述特征光參數導入到Zemax;獲取Zemax輸出的所述光強分布圖。
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