臺灣積體電路制造股份有限公司楊柏峰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利包括外延源極線和位線的存儲陣列獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113594166B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110327370.6，技術領域涉及：H10B41/00；該發明授權包括外延源極線和位線的存儲陣列是由楊柏峰;楊世海;張志宇;徐志安;林佑明設計研發完成，并于2021-03-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本包括外延源極線和位線的存儲陣列在說明書摘要公布了：本公開涉及包括外延源極線和位線的存儲陣列。公開了一種3D存儲陣列及其形成方法，其中，水平合并并且垂直不合并的外延源極漏極區域被用作源極線和位線。在實施例中，一種存儲陣列包括：第一溝道區域，在半導體襯底之上；第一外延區域，電耦合到第一溝道區域；第二外延區域，在與半導體襯底的主表面垂直的方向上位于第一外延區域正上方；電介質材料，在第一外延區域和第二外延區域之間，第二外延區域通過電介質材料與第一外延區域隔離；柵極電介質，圍繞第一溝道區域；以及柵極電極，圍繞柵極電介質。
本發明授權包括外延源極線和位線的存儲陣列在權利要求書中公布了：1.一種存儲陣列，包括：第一溝道區域，在半導體襯底之上；第一外延區域，電耦合到所述第一溝道區域；第二外延區域，在與所述半導體襯底的主表面垂直的方向上位于所述第一外延區域正上方；電介質材料，在所述第一外延區域和所述第二外延區域之間，其中，所述第二外延區域通過所述電介質材料與所述第一外延區域隔離；柵極電介質，圍繞所述第一溝道區域；柵極電極，圍繞所述柵極電介質；第二溝道區域，在與所述半導體襯底的主表面垂直的方向上位于所述第一溝道區域正上方，所述第二溝道區域電耦合到所述第二外延區域；以及第三溝道區域，在與所述半導體襯底的主表面平行的方向上與所述第一溝道區域相鄰，所述第三溝道區域電耦合到所述第一外延區域。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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