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龍圖騰網恭喜三星電子株式會社申請的專利半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111668308B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911353670.0，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權半導體器件及其制造方法是由李炳訓;樸鐘昊;金完敦;玄尚鎮設計研發完成，并于2019-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：提供了一種半導體器件及其制造方法。半導體器件包括：具有第一有源區和第二有源區的襯底；分別在第一有源區和第二有源區上的第一有源圖案和第二有源圖案；分別延伸跨過第一有源圖案和第二有源圖案的第一柵電極和第二柵電極；以及在第一有源圖案和第一柵電極之間以及在第二有源圖案和第二柵電極之間的高k電介質層。第一柵電極包括功函數金屬圖案和電極圖案。第二柵電極包括第一功函數金屬圖案、第二功函數金屬圖案和電極圖案。第一功函數金屬圖案包含與高k電介質層的雜質相同的雜質。第二柵電極的第一功函數金屬圖案的雜質濃度大于第一柵電極的功函數金屬圖案的雜質濃度。

本發明授權半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：具有第一有源區和第二有源區的襯底；分別在所述第一有源區和所述第二有源區上的第一有源圖案和第二有源圖案；分別延伸跨過所述第一有源圖案和所述第二有源圖案的第一柵電極和第二柵電極；以及在所述第一有源圖案和所述第一柵電極之間以及在所述第二有源圖案和所述第二柵電極之間的高k電介質層，其中：所述第一柵電極包括：所述高k電介質層上的功函數金屬圖案；以及所述功函數金屬圖案上的電極圖案，所述第二柵電極包括：所述高k電介質層上的第一功函數金屬圖案；所述第一功函數金屬圖案上的第二功函數金屬圖案；以及所述第二功函數金屬圖案上的電極圖案，所述第一功函數金屬圖案包含與所述高k電介質層的雜質相同的雜質，以及所述第二柵電極的第一功函數金屬圖案的雜質濃度大于所述第一柵電極的功函數金屬圖案的雜質濃度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。