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龍圖騰網(wǎng)恭喜三菱電機株式會社申請的專利碳化硅半導(dǎo)體裝置、電力變換裝置以及碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114730802B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980102420.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/60；該發(fā)明授權(quán)碳化硅半導(dǎo)體裝置、電力變換裝置以及碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法是由田中梨菜;福井裕;八田英之;足立亙平設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-11-28向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本碳化硅半導(dǎo)體裝置、電力變換裝置以及碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：提供耐壓高、且能夠使導(dǎo)通電阻下降的碳化硅半導(dǎo)體裝置。碳化硅半導(dǎo)體裝置100具備：第一導(dǎo)電型的基板1；第一導(dǎo)電型的漂移層2，設(shè)置于基板1上，由碳化硅構(gòu)成；第二導(dǎo)電型的體區(qū)域3，設(shè)置于漂移層2上；第一導(dǎo)電型的源極區(qū)域5，設(shè)置于體區(qū)域3上；源極電極12，連接于源極區(qū)域5；柵極絕緣膜10，設(shè)置于溝槽6的內(nèi)表面；柵極電極11，隔著柵極絕緣膜10設(shè)置于溝槽6內(nèi)；第二導(dǎo)電型的保護(hù)層7，設(shè)置于柵極絕緣膜10的下方；第二導(dǎo)電型的連接層8，與保護(hù)層7和體區(qū)域3相接；以及第二導(dǎo)電型的電場緩和層9，與連接層8的底面相接地設(shè)置于相比連接層8的下方，第二導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度低于連接層8。

本發(fā)明授權(quán)碳化硅半導(dǎo)體裝置、電力變換裝置以及碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種碳化硅半導(dǎo)體裝置，具備：第一導(dǎo)電型的基板；第一導(dǎo)電型的漂移層，設(shè)置于所述基板上，由碳化硅構(gòu)成；第二導(dǎo)電型的體區(qū)域，設(shè)置于所述漂移層上；第一導(dǎo)電型的源極區(qū)域，設(shè)置于所述體區(qū)域上；源極電極，連接于所述源極區(qū)域；柵極絕緣膜，設(shè)置于溝槽的內(nèi)表面，該溝槽貫通所述體區(qū)域和所述源極區(qū)域、且底面位于所述漂移層中；柵極電極，隔著所述柵極絕緣膜設(shè)置于所述溝槽內(nèi)；第二導(dǎo)電型的保護(hù)層，設(shè)置于所述柵極絕緣膜的下方；第二導(dǎo)電型的連接層，設(shè)置于所述漂移層內(nèi)，與所述保護(hù)層和所述體區(qū)域相接；以及第二導(dǎo)電型的電場緩和層，與所述連接層的底面相接地設(shè)置于相比所述連接層的下方，所述第二導(dǎo)電型的電場緩和層的第二導(dǎo)電型的雜質(zhì)濃度低于所述連接層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人三菱電機株式會社，其通訊地址為：日本東京；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。