恭喜巴斯夫歐洲公司;韋恩州立大學(xué)S·V·克倫克獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜巴斯夫歐洲公司;韋恩州立大學(xué)申請的專利產(chǎn)生含金屬或含半金屬的膜的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114729449B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080079413.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C16/455；該發(fā)明授權(quán)產(chǎn)生含金屬或含半金屬的膜的方法是由S·V·克倫克;A·G·赫夫納格爾;H·威爾默;D·羅夫勒;S·魏戈尼;K·希爾勒-阿恩特;C·H·溫特;N·韋拉滕加西里卡圖格設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-11-16向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本產(chǎn)生含金屬或含半金屬的膜的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于制備含無機金屬或含無機半金屬的膜的方法的領(lǐng)域。制備含無機金屬或含無機半金屬的膜的方法包括：a將含金屬或含半金屬的化合物從氣態(tài)沉積至固體基材上和b使具有沉積的含金屬或含半金屬的化合物的固體基材與通式I或II化合物接觸；其中Z為NR2、PR2、OR、SR、CR2、SiR2，X為H、R’或NR’2，其中至少一個X為H，n為1或2，和R和R’為烷基、鏈烯基、芳基或甲硅烷基。
本發(fā)明授權(quán)產(chǎn)生含金屬或含半金屬的膜的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.制備含無機金屬或含無機半金屬的膜的方法，包括： a將含金屬或含半金屬的化合物從氣態(tài)沉積至固體基材上，和 b使具有沉積的含金屬或含半金屬的化合物的固體基材與作為還原劑的通式II化合物接觸， 其中Z為NR2、PR2、OR或SR， X為H、R’或NR’2，其中至少一個X為H，n為1或2，和 R和R’為甲基、乙基、異丙基、仲丁基、叔丁基、三甲基甲硅烷基。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人巴斯夫歐洲公司;韋恩州立大學(xué)，其通訊地址為：德國萊茵河畔路德維希港；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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