恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司蔡俊雄獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利鰭式場效晶體管裝置結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN109585553B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201810575190.8，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權鰭式場效晶體管裝置結構是由蔡俊雄;沙哈吉·B·摩爾;彭成毅;林佑明;游國豐;方子韋設計研發完成，并于2018-06-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本鰭式場效晶體管裝置結構在說明書摘要公布了：一種鰭式場效晶體管裝置結構及其形成方法被提供。此鰭式場效晶體管裝置結構包括延伸于基板之上的鰭片結構，以及形成于此鰭片結構的中間部分之上的柵極結構。此鰭片結構的中間部分被上述柵極結構所包覆。此鰭式場效晶體管裝置結構包括相鄰于上述柵極結構的源極漏極結構，且此源極漏極結構包括位于源極漏極結構的外部分的摻雜區域，且此摻雜區域包括鎵。此鰭式場效晶體管裝置結構包括形成于上述源極漏極結構的摻雜區域上的金屬硅化物層，且此金屬硅化物層直接接觸上述源極漏極結構的摻雜區域。
本發明授權鰭式場效晶體管裝置結構在權利要求書中公布了：1.一種鰭式場效晶體管裝置結構，包括： 一鰭片結構，延伸于一基板之上； 一柵極結構，形成于該鰭片結構的一中間部分之上，其中該鰭片結構的該中間部分被該柵極結構所包覆； 一層間介電層，形成于該鰭片結構之上且相鄰于該柵極結構，其中該層間介電層被摻雜鎵，且該層間介電層的鎵濃度從底部到頂部逐漸增加； 一源極漏極結構，相鄰于該柵極結構，其中該源極漏極結構包括一摻雜區域位于該源極漏極結構的一外部分，且該摻雜區域包括鎵；以及 一金屬硅化物層，形成于該源極漏極結構的該摻雜區域之上，其中該金屬硅化物層直接接觸該源極漏極結構的該摻雜區域。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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