電子科技大學余承勇獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉電子科技大學申請的專利一種基于準光腔的面外介電常數測試裝置及方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119959626B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-20發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510451191.1，技術領域涉及：G01R27/26；該發明授權一種基于準光腔的面外介電常數測試裝置及方法是由余承勇;盧泓霖;程錦;張云鵬;高沖;龍嘉威;鄭虎;李恩設計研發完成，并于2025-04-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于準光腔的面外介電常數測試裝置及方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種基于準光腔的面外介電常數測試裝置及方法，屬于微波、毫米波材料電磁參數測試技術領域。該裝置創新性設計腔體形式，通過半球腔替代傳統的球形腔，將半球腔放置于金屬短路板上，從而構造出金屬短路板表面的電場嚴格垂直于短路面，此時將待測介質基板平整放置于準光腔中心，厚度方向與電場方向相同，即可保證腔內電場垂直分布在介質基板上，實現基于準光腔法對面外介電常數的測試。本發明測試裝置能夠實現在高頻下對介質基板的測試，為高頻器件的發展奠定了堅實的基礎。
本發明授權一種基于準光腔的面外介電常數測試裝置及方法在權利要求書中公布了：1.一種基于準光腔的面外介電常數測試裝置，其特征在于，包括耦合環饋電單元、半球腔和底座；所述底座為金屬平板，其上表面豎直設置半球腔；所述半球腔由兩個半球面鏡組成，所述半球面鏡為常規球面鏡的一半，兩半球面鏡的內凹面相對；半球腔和底座構成改進型雙凹準光腔，底座為準光腔的短路面；準光腔的球面的中心處開設耦合孔，用于設置耦合環饋電單元；通過調節耦合環饋電單元中耦合環進入耦合孔的深度，調節耦合量；待測介質基板放置于底座上表面，且待測介質基板中心與準光腔的中心軸線重合，待測介質基板與耦合環所在平面互相垂直，使待測介質基板面外方向與準光腔腔內中心處的電場線方向保持一致。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人電子科技大學，其通訊地址為：611731 四川省成都市高新區(西區)西源大道2006號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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