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龍圖騰網(wǎng)獲悉亮銳有限責(zé)任公司申請(qǐng)的專利III族氮化物多波長LED陣列獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114788005B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080089617.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H29/30；該發(fā)明授權(quán)III族氮化物多波長LED陣列是由R·阿米塔奇;I·維爾德森設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-12-03向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本III族氮化物多波長LED陣列在說明書摘要公布了：一種LED陣列包括第一臺(tái)面，該第一臺(tái)面包括頂表面、至少一個(gè)第一LED、和隧道結(jié)，至少一個(gè)第一LED包括第一p型層、第一n型層和第一顏色有源區(qū)，隧道結(jié)在第一LED上，第二n型層在隧道結(jié)上。該LED陣列還包括相鄰臺(tái)面，該相鄰臺(tái)面包括頂表面、第一LED、第二LED，第二LED包括第二n型層、第二p型層和第二顏色有源區(qū)。第一溝槽將第一臺(tái)面和相鄰臺(tái)面分隔，陰極金屬化在第一溝槽中并與相鄰臺(tái)面的第一和第二顏色有源區(qū)電接觸，并且陽極金屬化觸點(diǎn)在第一臺(tái)面的n型層上和相鄰臺(tái)面的陽極層上。該器件及其制造方法包括薄膜晶體管（TFT）。

本發(fā)明授權(quán)III族氮化物多波長LED陣列在權(quán)利要求書中公布了：1.一種發(fā)光二極管LED陣列，包括： 第一臺(tái)面，所述第一臺(tái)面包括頂表面、至少一個(gè)第一LED、和第一隧道結(jié)，所述至少一個(gè)第一LED包括第一p型層、第一n型層和第一顏色有源區(qū)，所述第一隧道結(jié)在第一LED上，所述第一臺(tái)面的頂表面包括在所述第一隧道結(jié)上的第二n型層； 相鄰臺(tái)面，所述相鄰臺(tái)面包括頂表面、第一LED、第二LED，所述第二LED包括第二n型層、第二p型層和第二顏色有源區(qū)； 在所述相鄰臺(tái)面的第二LED上的第二隧道結(jié)，以及在所述相鄰臺(tái)面的第二隧道結(jié)上的第三n型層； 第一溝槽，其分隔所述第一臺(tái)面和所述相鄰臺(tái)面； 在所述第一臺(tái)面的第二n型層上并且在所述相鄰臺(tái)面的頂表面上的陽極金屬化觸點(diǎn)； 在所述相鄰臺(tái)面的n型層上的第三顏色有源區(qū)，并且所述相鄰臺(tái)面包括包含第三p型層的頂表面； 第三臺(tái)面，其包括第一LED、第二LED、第二隧道結(jié)、和在第二隧道結(jié)上的第三n型層； 第二溝槽，其分隔所述相鄰臺(tái)面和所述第三臺(tái)面； 在第一溝槽中經(jīng)由第一溝槽中的陰極金屬化層與所述第一臺(tái)面的第一n型層直接電接觸的陰極金屬化； 在第二溝槽中經(jīng)由第二溝槽中的陰極金屬化層與所述第三臺(tái)面的第一n型層和第二n型層直接電接觸的陰極金屬化； 在第一溝槽中經(jīng)由第一溝槽中的陰極金屬化層與所述相鄰臺(tái)面的第一n型層、第二n型層和第三n型層直接電接觸的陰極金屬化；和 在所述第三臺(tái)面的第三n型層上的陽極金屬化觸點(diǎn)。

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