三星電子株式會社李銑浩獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利半導體器件和具有其的半導體封裝件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113013117B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011348008.9，技術領域涉及：H01L23/367；該發明授權半導體器件和具有其的半導體封裝件是由李銑浩;金鎮洙;明俊佑;樸庸鎮;李在杰設計研發完成，并于2020-11-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件和具有其的半導體封裝件在說明書摘要公布了：提供了一種半導體器件和具有其的半導體封裝件。所述半導體器件包括：半導體芯片，所述半導體芯片具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；第一散熱構件，所述第一散熱構件位于所述半導體芯片的所述第二表面上，所述第一散熱構件具有在垂直于所述第二表面的方向上的第一垂直熱導率和在平行于所述第二表面的方向上的第一水平熱導率，所述第一垂直熱導率小于所述第一水平熱導率；以及第二散熱構件，所述第二散熱構件包括穿過所述第一散熱構件的垂直圖案，所述第二散熱構件具有大于所述第一散熱構件的所述第一垂直熱導率的第二垂直熱導率。
本發明授權半導體器件和具有其的半導體封裝件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，所述半導體器件包括： 半導體芯片，所述半導體芯片具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；以及 復合散熱層，所述復合散熱層包括： 第一散熱構件，所述第一散熱構件位于所述半導體芯片的所述第二表面上以直接接觸所述半導體芯片的所述第二表面，所述第一散熱構件在垂直于所述第二表面的方向上具有第一垂直熱導率并且在平行于所述第二表面的方向上具有第一水平熱導率，所述第一垂直熱導率小于所述第一水平熱導率；以及 第二散熱構件，所述第二散熱構件覆蓋所述第一散熱構件的側表面和上表面，并且包括沿著所述半導體芯片的所述第二表面的邊緣區域設置并且圍繞所述第一散熱構件的垂直圖案和設置在所述第一散熱構件上并且連接到所述垂直圖案的散熱層，所述垂直圖案穿過所述第一散熱構件以直接接觸所述半導體芯片的所述第二表面，所述第二散熱構件具有大于所述第一散熱構件的所述第一垂直熱導率的第二垂直熱導率， 其中，所述復合散熱層的側表面與所述半導體芯片的側表面基本上共面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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