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龍圖騰網(wǎng)獲悉北京元芯碳基集成電路研究院;北京華碳元芯電子科技有限責(zé)任公司申請(qǐng)的專利一種窄帶隙半導(dǎo)體器件及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114429989B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011176009.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/60；該發(fā)明授權(quán)一種窄帶隙半導(dǎo)體器件及其制備方法是由孟令款;張志勇;彭練矛設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-10-29向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種窄帶隙半導(dǎo)體器件及其制備方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種具有高開關(guān)比的窄帶隙半導(dǎo)體器件及其制作方法。該器件具有一支撐襯底，其上依次具有一窄帶隙半導(dǎo)體層、一柵介質(zhì)層和一柵極堆疊結(jié)構(gòu)，柵極堆疊結(jié)構(gòu)兩側(cè)具有一L形自對(duì)準(zhǔn)側(cè)墻，其水平部分與位于其下的柵介質(zhì)層沿窄帶隙半導(dǎo)體層所在平面分別向外側(cè)的源極區(qū)和漏極區(qū)延伸一定長(zhǎng)度。進(jìn)一步在上述側(cè)墻外側(cè)的水平部分和上述窄帶隙半導(dǎo)體層上沉積有金屬，后者用作半導(dǎo)體器件的源極和漏極。該器件通過(guò)柵極自對(duì)準(zhǔn)工藝形成側(cè)墻，可以降低溝道與源漏極區(qū)接界處的電場(chǎng)強(qiáng)度，以此增加漏極端帶間隧穿勢(shì)壘的寬度，使得在大偏壓下工作時(shí)能較好的抑制漏極端少子的反向隧穿，故能在保持窄帶隙半導(dǎo)體器件高性能的同時(shí)增大開關(guān)比，并顯著抑制雙極性。

本發(fā)明授權(quán)一種窄帶隙半導(dǎo)體器件及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種具有高開關(guān)比的自對(duì)準(zhǔn)窄帶隙半導(dǎo)體器件,在支撐結(jié)構(gòu)（101）上包括一窄帶隙半導(dǎo)體層（103）及柵極堆疊結(jié)構(gòu)（105），在所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)（105）兩側(cè)具有采用自對(duì)準(zhǔn)工藝形成的、具有L形的側(cè)墻（108，108’），分別限定出位于所述側(cè)墻（108，108’）外側(cè)的源極區(qū)、漏極區(qū)，其特征在于： 在所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)105與所述窄帶隙半導(dǎo)體層（103）之間具有一柵介質(zhì)層（104），所述側(cè)墻（108，108’）與所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)105側(cè)面直接接觸，所述側(cè)墻（108，108’）具有一豎直部分和一水平部分組成的L形輪廓，所述水平部分與位于其下的所述柵介質(zhì)層（104）沿所述窄帶隙半導(dǎo)體層（103）所在平面分別向外側(cè)的所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)延伸一定長(zhǎng)度，在所述側(cè)墻（108，108’）的豎直部分之外、水平部分之上和所述窄帶隙半導(dǎo)體層（103）上均覆蓋有金屬層形成源極（110）和漏極（110’）。

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