恭喜六邊鉆公司畢朝霞獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜六邊鉆公司申請的專利半導體模板和制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113574633B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080021726.7，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權半導體模板和制造方法是由畢朝霞;J·奧爾松;L·塞繆爾森設計研發完成，并于2020-03-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體模板和制造方法在說明書摘要公布了：一種用于制造InGaN半導體模板的方法，其包括在半導體襯底上生長具有傾斜小面的InGaN棱錐；通過去除半導體材料來加工所述棱錐以形成具有第一上表面的截棱錐；在所述第一上表面上方生長InGaN，以形成具有形成頂表面的c平面晶體小面的InGaN模板層。所述InGaN半導體模板適合用于進一步制造半導體裝置，例如被配置成發射紅光、綠光或藍光的微型LED。
本發明授權半導體模板和制造方法在權利要求書中公布了：1.一種用于制造半導體裝置的方法，其包括： 在半導體襯底上生長具有傾斜小面的InGaN棱錐； 通過去除半導體材料來加工所述棱錐以形成具有第一上表面的截棱錐； 在所述第一上表面上方生長InGaN，以形成InGaN半導體模板，所述InGaN半導體模板具有形成頂表面的c平面晶體小面的InGaN模板層； 在所述模板層上生長另外的半導體層以形成異質結構，其中所述另外的半導體層中的至少一個具有與所述模板層不同的組成， 其中提供所述另外的半導體層中的至少一個以形成量子阱結構，且所述半導體裝置是： 綠光LED，并且其中所述另外的層中的至少一個以20-30％的銦含量生長；或者 紅光LED，并且其中所述另外的層中的至少一個以35％的銦含量生長。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人六邊鉆公司，其通訊地址為：瑞典亞魯普；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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