恭喜英特爾公司G·A·格拉斯獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜英特爾公司申請的專利用于減少鍺NMOS晶體管的源極/漏極擴散的摻雜絕緣體帽蓋獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111052391B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201780094303.6，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權用于減少鍺NMOS晶體管的源極/漏極擴散的摻雜絕緣體帽蓋是由G·A·格拉斯;A·S·默西;K·賈姆布納坦;C·C·邦伯格;T·加尼;J·T·卡瓦列羅斯;B·舒-金;S·H·宋;S·舒克賽設計研發完成，并于2017-09-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于減少鍺NMOS晶體管的源極/漏極擴散的摻雜絕緣體帽蓋在說明書摘要公布了：公開了在制作期間減少諸如磷或砷的n型摻雜劑從鍺n?MOS器件的源極區和漏極區向相鄰的絕緣體區中的擴散的集成電路晶體管結構。所述n?MOS晶體管器件可以包括原子百分比至少75％的鍺。在示例性實施例中，沉積與源極區和或漏極區相鄰的富含摻雜劑的絕緣體帽蓋，以提供摻雜劑擴散減少。在一些實施例中，富含摻雜劑的絕緣體帽蓋被摻雜有包括原子百分比處于1％和10％之間的濃度的磷的n型摻雜劑。在一些實施例中，富含摻雜劑的絕緣體帽蓋可以具有處于10到100納米的范圍內的厚度以及處于10到200納米的范圍內的高度。
本發明授權用于減少鍺NMOS晶體管的源極/漏極擴散的摻雜絕緣體帽蓋在權利要求書中公布了：1.一種集成電路IC，包括： 包括原子百分比至少75％的鍺的半導體主體； 處于所述半導體主體上的柵極結構，所述柵極結構包括柵極電介質和柵電極； 源極區和漏極區，所述源極區和所述漏極區都與所述柵極結構相鄰，使得所述柵極結構處于所述源極區和所述漏極區之間，所述源極區和所述漏極區的至少其中之一包括n型雜質；以及 處于所述源極區和所述漏極區的所述至少其中之一與層間電介質層之間的富含摻雜劑的絕緣體帽蓋區，所述富含摻雜劑的絕緣體帽蓋區包括所述n型雜質，所述富含摻雜劑的絕緣體帽蓋區在成分上與所述層間電介質層是有區別的。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英特爾公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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