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龍圖騰網(wǎng)獲悉季華實(shí)驗(yàn)室申請(qǐng)的專利一種半導(dǎo)體退火方法、退火裝置及退火系統(tǒng)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114823307B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210681195.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/263；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體退火方法、退火裝置及退火系統(tǒng)是由劉欣然;高桑田;唐卓睿;郭嘉杰;何嵩;吳國(guó)發(fā)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-06-15向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種半導(dǎo)體退火方法、退火裝置及退火系統(tǒng)在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制備技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種半導(dǎo)體退火方法、退火裝置及退火系統(tǒng)，其中，方法包括以下步驟：獲取SiC半導(dǎo)體片材的表面溫度信息；利用低于單晶硅的熔點(diǎn)溫度的加熱溫度對(duì)SiC半導(dǎo)體片材進(jìn)行微波加熱；在表面溫度信息達(dá)到預(yù)設(shè)的第一溫度閾值時(shí)，對(duì)SiC半導(dǎo)體片材進(jìn)行移動(dòng)性的電子束加熱，直至完成SiC半導(dǎo)體片材退火處理；該方法利用微波加熱處理將SiC半導(dǎo)體片材加熱到第一溫度閾值能將SiC半導(dǎo)體片材退火處理所需溫度下降至預(yù)期范圍內(nèi)，再利用電子束加熱對(duì)SiC半導(dǎo)體片材進(jìn)行精確的溫控退火處理，能在保證退火處理效果的情況下，降低了退火處理溫度、提高退火處理效率。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體退火方法、退火裝置及退火系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體退火方法，用于對(duì)SiC半導(dǎo)體片材進(jìn)行退火處理，其特征在于，所述方法包括以下步驟：獲取所述SiC半導(dǎo)體片材的表面溫度信息；對(duì)所述SiC半導(dǎo)體片材進(jìn)行微波加熱；在所述表面溫度信息達(dá)到預(yù)設(shè)的第一溫度閾值時(shí)，利用低于單晶硅熔點(diǎn)溫度的加熱溫度對(duì)所述SiC半導(dǎo)體片材進(jìn)行移動(dòng)性的電子束加熱，直至完成所述SiC半導(dǎo)體片材退火處理，所述第一溫度閾值為400-600℃；所述利用低于單晶硅熔點(diǎn)溫度的加熱溫度對(duì)所述SiC半導(dǎo)體片材進(jìn)行移動(dòng)性的電子束加熱，直至完成所述SiC半導(dǎo)體片材退火處理的步驟包括：利用電子束對(duì)所述SiC半導(dǎo)體片材進(jìn)行局部加熱；在所述表面溫度信息達(dá)到預(yù)設(shè)的第二溫度閾值時(shí)，按照預(yù)設(shè)的退火路徑切換所述電子束的局部加熱位置，所述第二溫度閾值小于所述單晶硅熔點(diǎn)溫度，所述第二溫度閾值為所述第一溫度閾值的1.5-3倍。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人季華實(shí)驗(yàn)室，其通訊地址為：528200 廣東省佛山市南海區(qū)桂城街道環(huán)島南路28號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。