恭喜昭和電工材料株式會社彼谷美千子獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜昭和電工材料株式會社申請的專利切割晶粒接合一體型膜及其品質管理方法以及半導體裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114830300B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980103116.9，技術領域涉及：H01L21/301；該發明授權切割晶粒接合一體型膜及其品質管理方法以及半導體裝置的制造方法是由彼谷美千子;谷口纮平設計研發完成，并于2019-12-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本切割晶粒接合一體型膜及其品質管理方法以及半導體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種切割晶粒接合一體型膜的品質管理方法。該品質管理方法包括：第1工序，準備具備基材層、壓敏膠黏劑層及膠黏劑層的切割晶粒接合一體型膜，該基材層具有第1表面及與第1表面相反的一側的第2表面，該壓敏膠黏劑層設置于基材層的第2表面上且由光固化性壓敏膠黏劑形成，該膠黏劑層設置于壓敏膠黏劑層的與基材層相反的一側；第2工序，對切割晶粒接合一體型膜的基材層的第1表面計算負載長度比tp；及第3工序，以負載長度比tp為指標，判定切割晶粒接合一體型膜的品質的良否。
本發明授權切割晶粒接合一體型膜及其品質管理方法以及半導體裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種切割晶粒接合一體型膜的品質管理方法，其包括： 第1工序，準備具備基材層、壓敏膠黏劑層及膠黏劑層的切割晶粒接合一體型膜，所述基材層具有第1表面及與所述第1表面相反的一側的第2表面，所述壓敏膠黏劑層設置于所述基材層的所述第2表面上且由光固化性壓敏膠黏劑形成，所述膠黏劑層設置于所述壓敏膠黏劑層的與所述基材層相反的一側； 第2工序，對所述切割晶粒接合一體型膜的所述基材層的所述第1表面計算負載長度比tp；及 第3工序，以所述負載長度比tp為指標，判定切割晶粒接合一體型膜的品質的良否， 其中，所述負載長度比tp為切斷水平50％時的負載長度比tp50％， 所述第3工序是根據是否滿足所述負載長度比tp50％為15％以上來判定品質的良否的工序。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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