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龍圖騰網(wǎng)獲悉合肥晶威特電子有限責(zé)任公司申請的專利一種光刻wafer音叉晶片的頻率測量方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115078826B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210493970.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01R23/02；該發(fā)明授權(quán)一種光刻wafer音叉晶片的頻率測量方法是由陳維彥;侯詩益;汪鑫;董書霞;袁亮;王杰;丁一奇;王磊;呂成;徐茂東;汪洋;葛軍;馬文勇設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-04-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種光刻wafer音叉晶片的頻率測量方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種光刻wafer音叉晶片的頻率測量方法，測量儀器包括定位平臺，其內(nèi)部開設(shè)有與負壓源連通的負壓管路；wafer片，固定在定位平臺上；測量系統(tǒng)，設(shè)置在wafer片上方，測量系統(tǒng)的探針與頻率計連接，探針依序?qū)afer片上的各音叉晶片的根部施加振動；負壓孔，開設(shè)在定位平臺上并與負壓管路連通，負壓孔與音叉晶片位置對應(yīng)；所述探針施加振動時負壓孔關(guān)閉，所述探針離開音叉晶片后負壓孔開啟。本發(fā)明快速消耗音叉晶片的振動能量，從而結(jié)束該區(qū)域音叉晶片的起振，使得探針到達下一測量的音叉晶片時可直接進行測量，大幅提高了測量效率。

本發(fā)明授權(quán)一種光刻wafer音叉晶片的頻率測量方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種光刻wafer音叉晶片的頻率測量方法，其特征在于，包括如下步驟:S1、完成測量儀器的組裝，該測量儀器包括定位平臺，其內(nèi)部開設(shè)有與負壓源連通的負壓管路；wafer片，固定在定位平臺上；測量系統(tǒng)，設(shè)置在wafer片上方，測量系統(tǒng)的探針與頻率計連接，探針依序?qū)afer片上的各音叉晶片的根部施加振動；負壓孔，開設(shè)在定位平臺上并與負壓管路連通，負壓孔與音叉晶片位置對應(yīng)；所述探針施加振動時負壓孔關(guān)閉，所述探針離開音叉晶片后負壓孔開啟；S2、將wafer片放置在定位平臺上，使wafer片與各定位凸起抵接，啟動負壓源確保wafer片通過吸附孔被負壓吸附固定，此時電磁閥關(guān)閉；S3、調(diào)整X向滑臺、Y向滑臺、Z向滑臺的位置，使探針與第一組音叉晶片根部抵接，CCD識別系統(tǒng)該音叉晶片進行識別觀測；S4、探針對音叉晶片根部施加振動，頻率計測量該音叉晶片的振動頻率，測量完成后通過X向滑臺、Y向滑臺、Z向滑臺的相對移動帶動探針移動至下一音叉晶片根部；S5、步驟S4中，探針移動時電磁閥開啟，通過負壓孔對測量完的音叉晶片所在區(qū)域施加瞬時負壓，并在探針到達下一音叉晶片根部前關(guān)閉電磁閥；S6、探針到達下一音叉晶片根部后，重復(fù)步驟S4、S5，沿S型的測量路徑對完成全部音叉晶片的測量，關(guān)閉負壓源并取出wafer片；所述定位平臺上開設(shè)有與wafer片表面貼合的吸附孔，所述負壓管路分流形成與吸附孔連通的第一負壓通道以及與負壓孔連通的第二負壓通道，所述第二負壓通道上設(shè)置有電磁閥以控制負壓孔的啟閉。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人合肥晶威特電子有限責(zé)任公司，其通訊地址為：230001 安徽省合肥市蜀山區(qū)經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)云谷路2569號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。