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重慶郵電大學;中國電子科技集團公司第二十四研究所趙汝法獲國家專利權

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龍圖騰網獲悉重慶郵電大學;中國電子科技集團公司第二十四研究所申請的專利一種基于三路徑的高線性度柵壓自舉開關獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115913201B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202211428170.0,技術領域涉及:H03K17/687;該發明授權一種基于三路徑的高線性度柵壓自舉開關是由趙汝法;戴佳洪;稅紹林;尹國和;王巍;王冠宇;王育新;王妍;劉建偉;梁宏玉設計研發完成,并于2022-11-15向國家知識產權局提交的專利申請。

一種基于三路徑的高線性度柵壓自舉開關在說明書摘要公布了:本發明請求保護一種基于三路徑的高線性度柵壓自舉開關,屬于模擬集成電路設計技術領域。為了防止PMOS管源極—襯底正向偏置,將其襯底端和源極相連,但是會增加N阱寄生電容Cnwell對電路采樣造成影響。利用第一電容C1與PMOS管M10和第二電容C2和PMOS管M11分別組合成兩條主路徑,第三電容C3和PMOS管M12組合成輔助路徑。PMOS管M10的襯底和PMOS管M7的襯底以及PMOS管M11的襯底和PMOS管M6的襯底都與PMOS管M12的襯底相連,輸入信號在通過兩條主路徑傳輸到開關管柵端的時候不僅可以加快柵端電壓的建立,還能省去Cnwell加載這一環節,而用剩下的輔助路徑去驅動Cnwell,從而提高電路整體信號的線性度。

本發明授權一種基于三路徑的高線性度柵壓自舉開關在權利要求書中公布了:1.一種基于三路徑的高線性度柵壓自舉開關,其特征在于,包括:第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、負載電容CL以及若干個MOS管,其中,所述MOS管包括NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、NMOS管M8、NMOS管M9、PMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12和自舉開關管MSW,其中PMOS管M10、PMOS管M11以及PMOS管M12尺寸相同,第一電容C1和第二電容C2以及第三電容C3的電容大小相同;所述NMOS管M1的漏極連接自舉開關管MSW的源極并作為柵壓自舉開關電路的輸入端;NMOS管M1的柵極連接NMOS管M3的柵極、NMOS管M8的源極、PMOS管M6和PMOS管M7的漏極、NMOS管M10的柵極和NMOS管M11的柵極以及NMOS管M12的柵極;NMOS管M1的源極分別連接電容C1,C2,C3的負端,NMOS管M2的漏極,NMOS管M3的源極和NMOS管M4的源極;所述NMOS管M2的源極連接地,NMOS管M2的柵極連接NMOS管M9管的柵極并作為柵壓自舉開關的時鐘反向信號;所述NMOS管M3的漏極連接NMOS管M4的漏極、PMOS管M5的漏極、NMOS管M6的柵極、NMOS管M7的柵極;所述NMOS管M4的柵極連接NMOS管M5的柵極并作為柵壓自舉開關的時鐘正向信號;所述NMOS管M5的源極連接VDD;所述PMOS管M6的源極連接第二電容C2的正端,所述PMOS管M6的襯底連接第三電容C3的正端;所述PMOS管M7的源極連接第一電容C1的正端,所述PMOS管M7的襯底連接第三電容C3的正端;所述NMOS管M8的漏極連接NMOS管M9的源極,所述NMOS管M8的襯底連接VDD;所述NMOS管M9的漏極連接地;所述PMOS管M10的漏極與PMOS管M11和PMOS管M12的漏極均連接VDD;所述PMOS管M10的源極連接PMOS管M7的源極和第一電容C1的正端、所述PMOS管M10的柵極連接PMOS管M7的漏極、所述PMOS管M10的襯底連接PMOS管M7的襯底和PMOS管M12的襯底;所述PMOS管M11的源極連接PMOS管M6的源極和第二電容C2的正端、PMOS管M11的襯底連接PMOS管M6的襯底和PMOS管M12的襯底;所述PMOS管M12的源極連接第三電容C3的正端,PMOS管M6的襯底和PMOS管M7的襯底以及PMOS管M12的襯底;所述自舉開關管MSW漏極作為柵壓自舉輸出信號端并連接負載電容CL,其柵極連接NMOS管M1的柵極;所述NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M8、NMOS管M9、自舉開關管MSW的襯底連接地;所述PMOS管M5,PMOS管M6,PMOS管M7的襯底連接VDD。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人重慶郵電大學;中國電子科技集團公司第二十四研究所,其通訊地址為:400065 重慶市南岸區南山街道崇文路2號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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