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龍圖騰網(wǎng)獲悉重慶郵電大學(xué);中國電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所申請(qǐng)的專利一種基于三路徑的高線性度柵壓自舉開關(guān)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115913201B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202211428170.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H03K17/687；該發(fā)明授權(quán)一種基于三路徑的高線性度柵壓自舉開關(guān)是由趙汝法;戴佳洪;稅紹林;尹國和;王巍;王冠宇;王育新;王妍;劉建偉;梁宏玉設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-11-15向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種基于三路徑的高線性度柵壓自舉開關(guān)在說明書摘要公布了：本發(fā)明請(qǐng)求保護(hù)一種基于三路徑的高線性度柵壓自舉開關(guān)，屬于模擬集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域。為了防止PMOS管源極—襯底正向偏置，將其襯底端和源極相連，但是會(huì)增加N阱寄生電容Cnwell對(duì)電路采樣造成影響。利用第一電容C1與PMOS管M10和第二電容C2和PMOS管M11分別組合成兩條主路徑，第三電容C3和PMOS管M12組合成輔助路徑。PMOS管M10的襯底和PMOS管M7的襯底以及PMOS管M11的襯底和PMOS管M6的襯底都與PMOS管M12的襯底相連，輸入信號(hào)在通過兩條主路徑傳輸?shù)介_關(guān)管柵端的時(shí)候不僅可以加快柵端電壓的建立，還能省去Cnwell加載這一環(huán)節(jié)，而用剩下的輔助路徑去驅(qū)動(dòng)Cnwell，從而提高電路整體信號(hào)的線性度。

本發(fā)明授權(quán)一種基于三路徑的高線性度柵壓自舉開關(guān)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于三路徑的高線性度柵壓自舉開關(guān)，其特征在于，包括：第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、負(fù)載電容CL以及若干個(gè)MOS管，其中，所述MOS管包括NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、NMOS管M8、NMOS管M9、PMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12和自舉開關(guān)管MSW，其中PMOS管M10、PMOS管M11以及PMOS管M12尺寸相同，第一電容C1和第二電容C2以及第三電容C3的電容大小相同；所述NMOS管M1的漏極連接自舉開關(guān)管MSW的源極并作為柵壓自舉開關(guān)電路的輸入端；NMOS管M1的柵極連接NMOS管M3的柵極、NMOS管M8的源極、PMOS管M6和PMOS管M7的漏極、NMOS管M10的柵極和NMOS管M11的柵極以及NMOS管M12的柵極；NMOS管M1的源極分別連接電容C1,C2,C3的負(fù)端，NMOS管M2的漏極，NMOS管M3的源極和NMOS管M4的源極；所述NMOS管M2的源極連接地，NMOS管M2的柵極連接NMOS管M9管的柵極并作為柵壓自舉開關(guān)的時(shí)鐘反向信號(hào)；所述NMOS管M3的漏極連接NMOS管M4的漏極、PMOS管M5的漏極、NMOS管M6的柵極、NMOS管M7的柵極；所述NMOS管M4的柵極連接NMOS管M5的柵極并作為柵壓自舉開關(guān)的時(shí)鐘正向信號(hào)；所述NMOS管M5的源極連接VDD；所述PMOS管M6的源極連接第二電容C2的正端，所述PMOS管M6的襯底連接第三電容C3的正端；所述PMOS管M7的源極連接第一電容C1的正端，所述PMOS管M7的襯底連接第三電容C3的正端；所述NMOS管M8的漏極連接NMOS管M9的源極，所述NMOS管M8的襯底連接VDD；所述NMOS管M9的漏極連接地；所述PMOS管M10的漏極與PMOS管M11和PMOS管M12的漏極均連接VDD；所述PMOS管M10的源極連接PMOS管M7的源極和第一電容C1的正端、所述PMOS管M10的柵極連接PMOS管M7的漏極、所述PMOS管M10的襯底連接PMOS管M7的襯底和PMOS管M12的襯底；所述PMOS管M11的源極連接PMOS管M6的源極和第二電容C2的正端、PMOS管M11的襯底連接PMOS管M6的襯底和PMOS管M12的襯底；所述PMOS管M12的源極連接第三電容C3的正端，PMOS管M6的襯底和PMOS管M7的襯底以及PMOS管M12的襯底；所述自舉開關(guān)管MSW漏極作為柵壓自舉輸出信號(hào)端并連接負(fù)載電容CL，其柵極連接NMOS管M1的柵極；所述NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M8、NMOS管M9、自舉開關(guān)管MSW的襯底連接地；所述PMOS管M5，PMOS管M6，PMOS管M7的襯底連接VDD。

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