東莞市中麒光電技術有限公司付小朝獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉東莞市中麒光電技術有限公司申請的專利發光芯片制作方法及發光芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115050862B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210765246.2，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權發光芯片制作方法及發光芯片是由付小朝;莊文榮設計研發完成，并于2022-06-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本發光芯片制作方法及發光芯片在說明書摘要公布了：本發明公開了一種發光芯片制作方法，包括提供制備有晶粒的生長襯底，將所述生長襯底的厚度從所述生長襯底遠離晶粒的第一面減薄至第一目標厚度；將厚度減薄至第一目標厚度的所述生長襯底的第一面與量子點色轉換層鍵合，以使所述量子點色轉換層與所述晶粒被減薄后的所述生長襯底間隔，所述晶粒發出的光可穿過減薄后的生長襯底進入所述量子點色轉換層。同時，本發明還提供一種采用該制作方法制成的發光芯片。與現有技術相比，本發明工序簡單，成品率高且可保證量子點的色轉換效率。
本發明授權發光芯片制作方法及發光芯片在權利要求書中公布了：1.一種發光芯片制作方法，其特征在于，包括：提供制備有晶粒的生長襯底，將所述生長襯底的厚度從所述生長襯底遠離晶粒的第一面減薄至第一目標厚度；將厚度減薄至第一目標厚度的所述生長襯底的第一面與量子點色轉換層鍵合，以使所述量子點色轉換層與所述晶粒被減薄后的所述生長襯底間隔，所述晶粒發出的光可穿過減薄后的所述生長襯底進入所述量子點色轉換層；所述量子點色轉換層包括具有多孔洞結構的基板和填充于所述多孔洞結構中的量子點，所述量子點色轉換層的兩相對側面分別為具有多孔洞結構的第一面和遠離多孔洞結構的第二面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人東莞市中麒光電技術有限公司，其通訊地址為：523000 廣東省東莞市東城街道桑園工業路17號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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