柯尼卡美能達株式會社高秀雄獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉柯尼卡美能達株式會社申請的專利有機半導體器件用噴墨記錄介質及有機半導體器件用構件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114975818B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210170446.3，技術領域涉及：H10K50/84；該發明授權有機半導體器件用噴墨記錄介質及有機半導體器件用構件是由高秀雄;泉倫生;及川和博設計研發完成，并于2022-02-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本有機半導體器件用噴墨記錄介質及有機半導體器件用構件在說明書摘要公布了：提供用于采用簡便的工藝高精度地制造有機半導體器件的有機半導體器件用噴墨記錄介質及有機半導體器件用構件。另外，提供使用有該有機半導體器件用噴墨記錄介質的、能夠采用簡便的工藝高精度地制造有機半導體器件的有機半導體器件的制造方法。本發明的有機半導體器件用噴墨記錄介質是將基材、電極、及墨容納層依次層疊的有機半導體器件用噴墨記錄介質，其特征在于，上述墨容納層在上述電極側具有防止墨浸透區域，所述防止墨浸透區域防止從遠離上述電極的表面向上述電極浸透的墨到達上述電極。
本發明授權有機半導體器件用噴墨記錄介質及有機半導體器件用構件在權利要求書中公布了：1.一種有機半導體器件用噴墨記錄介質，是將基材、電極、及墨容納層依次層疊的有機半導體器件用噴墨記錄介質，其特征在于，所述墨容納層在所述電極側具有防止墨浸透區域，所述防止墨浸透區域防止從遠離所述電極的表面向所述電極浸透的墨到達所述電極,所述墨容納層具有包含遠離所述電極的表面的墨浸透層，且作為所述防止墨浸透區域，在所述電極側具有墨難溶層，所述墨難溶層包含互穿聚合物網絡結構，或者所述墨浸透層含有聚苯乙烯樹脂且所述墨難溶層含有包含四苯基聯苯胺或其衍生物作為主要聚合單元的樹脂。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人柯尼卡美能達株式會社，其通訊地址為：日本東京；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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