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龍圖騰網(wǎng)獲悉電子科技大學申請的專利基于等效模型的PCM聚焦系統(tǒng)磁場分析方法及系統(tǒng)獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114417624B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產權局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202210079687.7，技術領域涉及：G06F30/20；該發(fā)明授權基于等效模型的PCM聚焦系統(tǒng)磁場分析方法及系統(tǒng)是由何紅賓;徐進;李鴻儒;蘇子軒;岳玲娜;殷海榮;趙國慶;王文祥;魏彥玉設計研發(fā)完成，并于2022-01-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于等效模型的PCM聚焦系統(tǒng)磁場分析方法及系統(tǒng)在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了基于等效模型的PCM聚焦系統(tǒng)磁場分析方法及系統(tǒng)，涉及微波電真空技術領域，其技術方案要點是：將磁塊等效為相應的矩形電流筒；計算單對矩形線圈在目標空間點產生的第一軸向磁場；以積分方式計算得到矩形電流筒在目標空間點產生的第二軸向磁場；計算出各個磁塊對在目標空間點產生的第二軸向磁場；疊加各磁塊對的第二軸向磁場計算得出總磁場；將總磁場的磁場峰值與目標磁場峰值比較并修正磁塊的充磁，迭代計算直至總磁場的磁場峰值與目標磁場峰值的差值小于閾值，輸出各磁塊的充磁情況和軸向磁場。本發(fā)明通過PCM磁場等效計算和快速逆向設計，可在極短的時間內計算得出目標磁場和PCM磁系統(tǒng)具體的磁塊充磁情況。

本發(fā)明授權基于等效模型的PCM聚焦系統(tǒng)磁場分析方法及系統(tǒng)在權利要求書中公布了：1.基于等效模型的PCM聚焦系統(tǒng)磁場分析方法，其特征是，包括以下步驟：根據(jù)PCM結構參數(shù)將磁塊等效為相應的矩形電流筒；計算單對矩形線圈在目標電流下于目標空間點產生的第一軸向磁場；以積分方式計算得到單對矩形線圈拓展到一對矩形電流筒后在目標電流下于目標空間點產生的第二軸向磁場；根據(jù)PCM結構中磁塊對的充磁和位置參數(shù)循環(huán)計算出各個磁塊對在目標空間點產生的第二軸向磁場；疊加各磁塊對的第二軸向磁場計算得出總磁場；將總磁場的磁場峰值與目標磁場峰值比較并修正磁塊的充磁，迭代計算直至總磁場的磁場峰值與目標磁場峰值的差值小于閾值，輸出各磁塊的充磁情況和軸向磁場；所述第一軸向磁場的計算過程具體為：根據(jù)單對矩形線圈的空間分布計算出四條平行的水平線段在目標空間點的第一磁場；根據(jù)單對矩形線圈的空間分布計算出四條平行的豎直線段在目標空間點的第二磁場；根據(jù)第一磁場、第二磁場之和計算得到第一軸向磁場；所述位置參數(shù)的表達式具體為：zi＝z0+i-1L其中，zi表示第i個磁塊對相對于目標空間點的Z軸坐標；z0表示目標空間點距離第一塊磁塊起始位置的相對Z軸坐標；L表示PCM半周期。

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