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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利一種半導體封裝結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114400213B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210068308.4，技術領域涉及：H01L23/485；該發明授權一種半導體封裝結構及其形成方法是由莊凌藝設計研發完成，并于2022-01-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體封裝結構及其形成方法在說明書摘要公布了：本公開實施例公開了一種半導體封裝結構及其形成方法，其中，所述半導體封裝結構包括：第一半導體芯片；所述第一半導體芯片的表面形成有多個第一接觸墊；介質層，位于所述第一半導體芯片上；所述介質層內形成有多個第二接觸墊；第二半導體芯片堆疊結構，位于所述介質層上；所述第二半導體芯片堆疊結構包括依次堆疊的多層第二半導體芯片；第一層第二半導體芯片的表面形成有多個第三接觸墊；所述第一半導體芯片和所述第一層第二半導體芯片通過所述第一接觸墊、所述第二接觸墊和所述第三接觸墊一一對應相互鍵合；其中，每一個所述第二接觸墊的寬度與其相對應的第一接觸墊，和或，第三接觸墊的寬度不一致。

本發明授權一種半導體封裝結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：第一半導體芯片；所述第一半導體芯片的表面形成有多個第一接觸墊；多個硅通孔，各所述硅通孔貫穿所述第一半導體芯片，各所述硅通孔的一側表面上相應設置有所述第一接觸墊；介質層，位于所述第一半導體芯片上；所述介質層內形成有多個第二接觸墊；第二半導體芯片堆疊結構，位于所述介質層上；所述第二半導體芯片堆疊結構包括依次堆疊的多層第二半導體芯片；第一層第二半導體芯片的表面形成有多個第三接觸墊；所述第一半導體芯片和所述第一層第二半導體芯片通過所述第一接觸墊、所述第二接觸墊和所述第三接觸墊一一對應相互鍵合；其中，所述第一接觸墊包括第一個第一接觸墊和第二個第一接觸墊；所述第二接觸墊包括與所述第一個第一接觸墊對應的第一個第二接觸墊和與所述第二個第一接觸墊對應的第二個第二接觸墊，所述第一個第二接觸墊的寬度大于所述第二個第二接觸墊的寬度；所述第三接觸墊包括與所述第一個第一接觸墊對應的第一個第三接觸墊和與所述第二個第一接觸墊對應的第二個第三接觸墊；所述第一個第二接觸墊的寬度大于第一個第一接觸墊和第一個第三接觸墊的寬度；所述第二個第二接觸墊的寬度小于第二個第一接觸墊和第二個第三接觸墊的寬度；所述第一個第一接觸墊與所述第一個第三接觸墊的寬度一致，所述第二個第一接觸墊與所述第二個第三接觸墊的寬度一致。

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