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龍圖騰網(wǎng)恭喜華虹半導體(無錫)有限公司申請的專利半導體結(jié)構(gòu)的形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114220816B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-06發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111520638.4，技術(shù)領域涉及：H10B41/30；該發(fā)明授權(quán)半導體結(jié)構(gòu)的形成方法是由段松漢;齊翔羽;薛立平;佟宇鑫;顧林;王虎設計研發(fā)完成，并于2021-12-13向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導體結(jié)構(gòu)的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：回刻蝕所述第一介質(zhì)材料層和第二介質(zhì)材料層直至暴露出所述刻蝕停止層，在所述第一開口側(cè)壁以及所述第三柵極側(cè)壁形成第一側(cè)墻，所述第一側(cè)墻包括第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，以所述第一介質(zhì)材料層形成第一介質(zhì)層，以所述第二介質(zhì)材料層形成第二介質(zhì)層；以所述第一側(cè)墻為掩膜，在所述第一開口下方的存儲區(qū)內(nèi)形成存儲漏區(qū)；在形成所述存儲漏區(qū)后，去除所述第一開口內(nèi)的所述第二介質(zhì)層；去除所述第一開口內(nèi)的所述第二介質(zhì)層后，在所述第一開口側(cè)壁、所述第三柵極側(cè)壁形成第二側(cè)墻，所述第二側(cè)墻的厚度小于所述第二介質(zhì)層的厚度，利于后續(xù)層間介質(zhì)層在第一柵極和第二柵極之間的填充，從而提高器件的性能。

本發(fā)明授權(quán)半導體結(jié)構(gòu)的形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：提供襯底，所述襯底包括存儲區(qū)和外圍區(qū)；形成所述存儲區(qū)上的第一柵極和若干第二柵極，以及外圍區(qū)上的若干第三柵極，所述第一柵極和相鄰的第二柵極之間具有第一開口；在所述第一柵極、所述若干第二柵極和所述若干第三柵極的側(cè)壁和頂部表面以及襯底上形成刻蝕停止層、位于所述刻蝕停止層上的第一介質(zhì)材料層，以及位于所述第一介質(zhì)材料層上的第二介質(zhì)材料層；回刻蝕所述第一介質(zhì)材料層和第二介質(zhì)材料層直至暴露出所述刻蝕停止層，在所述第一開口側(cè)壁以及所述第三柵極側(cè)壁形成第一側(cè)墻，所述第一側(cè)墻包括第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，以所述第一介質(zhì)材料層形成第一介質(zhì)層，以所述第二介質(zhì)材料層形成第二介質(zhì)層；以所述第一側(cè)墻為掩膜，在所述第一開口下方的存儲區(qū)內(nèi)形成存儲漏區(qū)；在形成所述存儲漏區(qū)后，去除所述第一開口內(nèi)的所述第二介質(zhì)層；去除所述第一開口內(nèi)的所述第二介質(zhì)層后，在所述第一開口側(cè)壁、所述第三柵極側(cè)壁形成第二側(cè)墻，所述第二側(cè)墻的厚度小于所述第二介質(zhì)層的厚度。

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