恭喜中國科學院上海微系統與信息技術研究所孫嘉良獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中國科學院上海微系統與信息技術研究所申請的專利一種鍺硅電吸收調制器及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114355634B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111517323.4，技術領域涉及：G02F1/015；該發明授權一種鍺硅電吸收調制器及其制作方法是由孫嘉良;劉雨菲;蔡艷;余明斌設計研發完成，并于2021-12-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種鍺硅電吸收調制器及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種鍺硅電吸收調制器及其制作方法，其中，鍺硅電吸收調制器包括多晶硅層和硅襯底；N摻雜區，所述N摻雜區設置于所述多晶硅層中；P摻雜區，所述P摻雜區設置于所述硅襯底中，其中，所述硅襯底內部設置有第一二氧化硅層，所述P摻雜區位于第一二氧化硅層上表面；鍺硅光子晶體波導，所述鍺硅光子晶體波導垂直設置于N摻雜區和P摻雜區之間，所述鍺硅光子晶體波導周圍填充有第二二氧化硅層，所述第二二氧化硅層的下表面與硅襯底相連、上表面與多晶硅層相連。本發明通過鍺硅光子晶體波導的慢光效應增強材料對于光的吸收，從而提升器件性能。
本發明授權一種鍺硅電吸收調制器及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種鍺硅電吸收調制器，其特征在于，包括：多晶硅層和硅襯底；N摻雜區，所述N摻雜區設置于所述多晶硅層中；P摻雜區，所述P摻雜區設置于所述硅襯底中，其中，所述硅襯底內部設置有第一二氧化硅層，所述P摻雜區位于第一二氧化硅層上表面；鍺硅光子晶體波導，所述鍺硅光子晶體波導通過在鍺硅波導上刻蝕若干圓形空氣孔，再通過生長氧化層填滿圓形空氣孔，并形成三角晶格型光子晶體結構得到；所述鍺硅光子晶體波導垂直設置于N摻雜區和P摻雜區之間，所述鍺硅光子晶體波導周圍填充有第二二氧化硅層，所述第二二氧化硅層的下表面與硅襯底相連、上表面與多晶硅層相連。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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