国产精品天干天干在线播放,大尺度揉捏胸床戏视频,樱花草www日本在线观看,狠狠躁夜夜躁人人爽天天天天97

Document
拖動滑塊完成拼圖
個人中心

預訂訂單
服務訂單
發布專利 發布成果 人才入駐 發布商標 發布需求

在線咨詢

聯系我們

龍圖騰公眾號
首頁 專利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 科技服務 國際服務 商標交易 會員權益 需求市場 關于龍圖騰
 /  免費注冊
到頂部 到底部
清空 搜索
當前位置 : 首頁 > 專利喜報 > 芯恩(青島)集成電路有限公司賈玉杰獲國家專利權

芯恩(青島)集成電路有限公司賈玉杰獲國家專利權

買專利賣專利找龍圖騰,真高效! 查專利查商標用IPTOP,全免費!專利年費監控用IP管家,真方便!

龍圖騰網獲悉芯恩(青島)集成電路有限公司申請的專利一種GaN MOS HEMT的柵氧化層形成方法及GaN MOS HEMT制造方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115132577B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110317369.5,技術領域涉及:H01L21/28;該發明授權一種GaN MOS HEMT的柵氧化層形成方法及GaN MOS HEMT制造方法是由賈玉杰;孟昭生;吳荘荘設計研發完成,并于2021-03-25向國家知識產權局提交的專利申請。

一種GaN MOS HEMT的柵氧化層形成方法及GaN MOS HEMT制造方法在說明書摘要公布了:本發明提供一種GaNMOSHEMT的柵氧化層形成方法及GaNMOSHEMT制造方法首先在GaNMOSHEMT的GaN外延層上方形成Si外延層,然后采用熱氧化法對Si外延層進行氧化,使Si外延層全部氧化為SiO2層,該SiO2層作為柵氧化層。本發明的上述方法避免了等離子體對外延層的損傷,改善了SiO2層與GaN外延層的界面態,顯著提高了器件的性能,提高柵極對溝道的控制能力。另外,通過嚴格控制熱氧化的時間和溫度,使得Si外延層全部被氧化的而GaN外延層中的GaN不會被氧化。同時,為了進一步防止GaN外延層被氧化,本發明的方法還可以在Si外延層與GaN外延層之間的界面處注入C離子,C離子有助于阻止GaN外延層被氧化,從而保證器件的性能。

本發明授權一種GaN MOS HEMT的柵氧化層形成方法及GaN MOS HEMT制造方法在權利要求書中公布了:1.一種GaNMOSHEMT的柵氧化層形成方法,其特征在于,包括以下步驟:在GaNMOSHEMT的GaN外延層上方形成Si外延層;向所述Si外延層與所述GaN外延層之間的界面處注入C離子;對所述Si外延層進行熱氧化使所述Si外延層全部氧化形成SiO2層,所述SiO2層作為柵氧化層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人芯恩(青島)集成電路有限公司,其通訊地址為:266500 山東省青島市黃島區紅石崖街道山王河路1688號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息,力求客觀、公正,但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解,僅供參考使用,不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
主站蜘蛛池模板: 台中市| 册亨县| 吉安市| 师宗县| 扎赉特旗| 财经| 翁源县| 平凉市| 贵阳市| 桂平市| 青冈县| 隆子县| 太和县| 巫溪县| 闽侯县| 马关县| 车致| 岑溪市| 定陶县| 衡水市| 大新县| 万荣县| 会昌县| 南阳市| 布尔津县| 山东省| 纳雍县| 津南区| 乌兰浩特市| 湖北省| 蒲城县| 合水县| 克拉玛依市| 漠河县| 会东县| 内黄县| 禄丰县| 潼南县| 琼海市| 永定县| 广灵县|