芯恩(青島)集成電路有限公司賈玉杰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉芯恩(青島)集成電路有限公司申請的專利一種GaN MOS HEMT的柵氧化層形成方法及GaN MOS HEMT制造方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115132577B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110317369.5,技術領域涉及:H01L21/28;該發明授權一種GaN MOS HEMT的柵氧化層形成方法及GaN MOS HEMT制造方法是由賈玉杰;孟昭生;吳荘荘設計研發完成,并于2021-03-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種GaN MOS HEMT的柵氧化層形成方法及GaN MOS HEMT制造方法在說明書摘要公布了:本發明提供一種GaNMOSHEMT的柵氧化層形成方法及GaNMOSHEMT制造方法首先在GaNMOSHEMT的GaN外延層上方形成Si外延層,然后采用熱氧化法對Si外延層進行氧化,使Si外延層全部氧化為SiO2層,該SiO2層作為柵氧化層。本發明的上述方法避免了等離子體對外延層的損傷,改善了SiO2層與GaN外延層的界面態,顯著提高了器件的性能,提高柵極對溝道的控制能力。另外,通過嚴格控制熱氧化的時間和溫度,使得Si外延層全部被氧化的而GaN外延層中的GaN不會被氧化。同時,為了進一步防止GaN外延層被氧化,本發明的方法還可以在Si外延層與GaN外延層之間的界面處注入C離子,C離子有助于阻止GaN外延層被氧化,從而保證器件的性能。
本發明授權一種GaN MOS HEMT的柵氧化層形成方法及GaN MOS HEMT制造方法在權利要求書中公布了:1.一種GaNMOSHEMT的柵氧化層形成方法,其特征在于,包括以下步驟:在GaNMOSHEMT的GaN外延層上方形成Si外延層;向所述Si外延層與所述GaN外延層之間的界面處注入C離子;對所述Si外延層進行熱氧化使所述Si外延層全部氧化形成SiO2層,所述SiO2層作為柵氧化層。
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