芯恩(青島)集成電路有限公司賈玉杰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉芯恩(青島)集成電路有限公司申請的專利一種GaN MOS HEMT的柵氧化層形成方法及GaN MOS HEMT制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115132577B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110317369.5，技術領域涉及：H01L21/28；該發明授權一種GaN MOS HEMT的柵氧化層形成方法及GaN MOS HEMT制造方法是由賈玉杰;孟昭生;吳荘荘設計研發完成，并于2021-03-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種GaN MOS HEMT的柵氧化層形成方法及GaN MOS HEMT制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種GaNMOSHEMT的柵氧化層形成方法及GaNMOSHEMT制造方法首先在GaNMOSHEMT的GaN外延層上方形成Si外延層，然后采用熱氧化法對Si外延層進行氧化，使Si外延層全部氧化為SiO2層，該SiO2層作為柵氧化層。本發明的上述方法避免了等離子體對外延層的損傷，改善了SiO2層與GaN外延層的界面態，顯著提高了器件的性能，提高柵極對溝道的控制能力。另外，通過嚴格控制熱氧化的時間和溫度，使得Si外延層全部被氧化的而GaN外延層中的GaN不會被氧化。同時，為了進一步防止GaN外延層被氧化，本發明的方法還可以在Si外延層與GaN外延層之間的界面處注入C離子，C離子有助于阻止GaN外延層被氧化，從而保證器件的性能。
本發明授權一種GaN MOS HEMT的柵氧化層形成方法及GaN MOS HEMT制造方法在權利要求書中公布了：1.一種GaNMOSHEMT的柵氧化層形成方法，其特征在于，包括以下步驟：在GaNMOSHEMT的GaN外延層上方形成Si外延層；向所述Si外延層與所述GaN外延層之間的界面處注入C離子；對所述Si外延層進行熱氧化使所述Si外延層全部氧化形成SiO2層，所述SiO2層作為柵氧化層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人芯恩(青島)集成電路有限公司，其通訊地址為：266500 山東省青島市黃島區紅石崖街道山王河路1688號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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