恭喜三菱電機(jī)株式會社惠良淳史獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜三菱電機(jī)株式會社申請的專利光半導(dǎo)體裝置的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114008748B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980097657.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/3065；該發(fā)明授權(quán)光半導(dǎo)體裝置的制造方法是由惠良淳史設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-06-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本光半導(dǎo)體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：包括：在n型InP基板10的表面形成半導(dǎo)體層的工序；對所述半導(dǎo)體層的一部分進(jìn)行蝕刻來形成活性層脊20的蝕刻工序；邊供給結(jié)晶生長的原料氣體和蝕刻氣體，邊去除附著于被蝕刻的半導(dǎo)體層的表面的Si的清潔工序；以及在比所述清潔工序中的溫度高的處理溫度下，在活性層脊20的兩側(cè)形成埋入層40的結(jié)晶生長工序，以保持脊形狀的狀態(tài)進(jìn)行清潔。
本發(fā)明授權(quán)光半導(dǎo)體裝置的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種光半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括：在基板的表面形成半導(dǎo)體層的工序；對所述半導(dǎo)體層的一部分進(jìn)行蝕刻來形成脊部的蝕刻工序；邊供給結(jié)晶生長的原料氣體和蝕刻氣體，邊去除被蝕刻的所述半導(dǎo)體層的表面的附著物的清潔工序；以及在比所述清潔工序中的溫度高的處理溫度下，在所述脊部的兩側(cè)形成電流阻擋層的結(jié)晶生長工序。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人三菱電機(jī)株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準(zhǔn)確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當(dāng)日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔(dān)任何法律責(zé)任的依據(jù)或者憑證。
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