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龍圖騰網(wǎng)獲悉蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司申請的專利一種整流橋啟動(dòng)保護(hù)電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113285586B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110686077.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02M1/36；該發(fā)明授權(quán)一種整流橋啟動(dòng)保護(hù)電路是由張勝;涂才根;譚在超;丁國華;羅寅設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-06-21向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種整流橋啟動(dòng)保護(hù)電路在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種整流橋啟動(dòng)保護(hù)電路，所述保護(hù)電路包括整流橋、貯能電容C0、功率電阻R1，AC交流電源將通過功率電阻R1和整流橋?qū)﹄娙軨0進(jìn)行充電，功率電阻R1串聯(lián)在AC交流電源與整流橋之間的環(huán)路上，貯能電容C0連接在整流橋兩端，包括IC控制芯片、NMOS管N1、NOMS管N2、電容C1、電容C2、HB管腳、HO管腳及HS管腳，所述NMOS管N1和NOMS管N2的柵極連接在功率電阻R1的兩端，NMOS管N1和NOMS管N2的源極和漏極分別相連，本發(fā)明專利電路結(jié)構(gòu)簡單，只需要一個(gè)功率電阻、兩個(gè)功率NMOS管和一個(gè)控制IC即可實(shí)現(xiàn)解決方案，本發(fā)明專利限制了AC交流電源啟動(dòng)峰值電流，保護(hù)了整流橋的安全，保證了設(shè)備在高低溫條件下都能正常啟動(dòng)。

本發(fā)明授權(quán)一種整流橋啟動(dòng)保護(hù)電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種整流橋啟動(dòng)保護(hù)電路，所述保護(hù)電路包括整流橋、貯能電容C0及功率電阻R1，AC交流電源將通過功率電阻R1和整流橋?qū)﹄娙軨0進(jìn)行充電，功率電阻R1串聯(lián)在AC交流電源與整流橋之間的環(huán)路上，貯能電容C0連接在整流橋兩端，其特征在于，保護(hù)電路還包括IC控制芯片、NMOS管N1、NOMS管N2、電容C1、電容C2、HB管腳、HO管腳及HS管腳； 所述IC控制芯片的VCC電源管腳連接至內(nèi)部電路，HS管腳連接至NMOS管N1和NOMS管N2的源極，HO管腳連接至NMOS管N1和NOMS管N2的柵極，HB管腳通過電容C1連接至HS管腳； 所述電容C2連接于VCC電源管腳和GND管腳，電容C2為電源VCC的濾波電容； 所述NMOS管N1和NOMS管N2的柵極連接在功率電阻R1的兩端，NMOS管N1和NOMS管N2的源極和漏極分別相連； 所述IC控制芯片包括欠壓檢測模塊、電平轉(zhuǎn)移模塊、電荷泵模塊、功率驅(qū)動(dòng)模塊，電荷泵模塊用于對電容C1充電，電平轉(zhuǎn)移模塊用于將欠壓檢測模塊輸出的高電平信號從VCC電壓域轉(zhuǎn)移到VHB與VHS之間的電壓域，欠壓檢測模塊用于對VCC的電壓進(jìn)行檢測，功率驅(qū)動(dòng)模塊用于增強(qiáng)VHB與VHS之間電壓域高電平信號的電流驅(qū)動(dòng)能力； 高電平信號通過功率驅(qū)動(dòng)模塊增強(qiáng)電流驅(qū)動(dòng)能力后從HO管腳輸出。

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