恭喜長鑫存儲技術有限公司錢仕兵獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體測試結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112885728B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911201825.9，技術領域涉及：H01L21/66；該發明授權半導體測試結構是由錢仕兵設計研發完成，并于2019-11-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體測試結構在說明書摘要公布了：本發明涉及一種半導體測試結構，用于在測試MOS器件的柵電容時作為柵電極的引出端與外部測試結構連接。所述半導體測試結構包括襯底，所述襯底上設有待測試的MOS器件；焊盤，用于連接外部測試結構；頂層金屬層，與所述焊盤和待測試的MOS器件的柵電極均連接；底層金屬層，所述底層金屬層與所述襯底、焊盤和頂層金屬層均不互連。本發明的技術方案通過串聯連接多個寄生電容的方法，減小了與柵電容并聯連接的總寄生電容，從而降低了總寄生電容對柵電容測試結果的影響，獲得了準確的柵電容測試結果。
本發明授權半導體測試結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體測試結構，用于在測試MOS器件的柵電容時作為柵電極的引出端與外部測試結構連接，其特征在于，所述半導體測試結構包括： 襯底，所述襯底上設有待測試的MOS器件，所述MOS器件包括柵電極和柵介質層，所述柵介質層材料為高K的金屬氧化物； 焊盤，用于連接外部測試結構； 頂層金屬層，與所述焊盤和待測試的MOS器件的柵電極均連接； 底層金屬層，與所述柵電極、焊盤和頂層金屬層均不互連，所述底層金屬層與所述襯底之間以及所述底層金屬層與所述頂層金屬層之間形成了串聯的寄生電容。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區翠微路6號海恒大廈630室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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