中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司李德元獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司申請的專利半導體器件TEM樣品制備及測量方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115201238B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110395088.1，技術領域涉及：G01N23/20008；該發明授權半導體器件TEM樣品制備及測量方法是由李德元;余嘉晗設計研發完成，并于2021-04-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件TEM樣品制備及測量方法在說明書摘要公布了：本申請涉及TEM樣品的制備及半導體器件中空氣隙關鍵尺寸的測量方法，包括步驟：提供晶圓，所述晶圓上包括至少具有空氣隙的待檢測區域；切割所述晶圓以得到包括所述待檢測區域的樣片；對所述樣片進行研磨減薄；實施高能量的FIB處理對所述樣片進行粗減薄，直至將所述空氣隙剖開；將填充材料填充至所述空氣隙中；實施低能量的FIB處理對所述樣片進行精減薄，以最終得到TEM樣品，并觀測其空氣隙的關鍵尺寸。采用環氧樹脂來填充空氣隙，能夠在FIB處理的過程中有效減少空氣隙的形貌變形，改善測量分析的質量，提高關鍵尺寸的測量精度；同時，采用先FIB粗減薄、在填充環氧樹脂之后再FIB精減薄相結合的工藝，進一步較少FIB造成的損傷和形貌變形，從而提高測量精度。
本發明授權半導體器件TEM樣品制備及測量方法在權利要求書中公布了：1.一種TEM樣品的制備方法，其特征在于，包括步驟： 提供晶圓，所述晶圓上包括至少具有空氣隙的待檢測區域；所述空氣隙為位于位線兩側的空氣隙； 切割所述晶圓以得到包括所述待檢測區域的樣片； 對所述樣片進行研磨減薄； 實施高能量的FIB處理對所述樣片進行粗減薄，直至將所述空氣隙剖開；在所述待檢測區域的空氣隙被剖開對應位置形成有第一標記； 將填充材料填充至所述空氣隙中； 實施低能量的FIB處理對所述樣片進行精減薄，在所述待檢測區域的待檢測圖形對應位置形成有第二標記；以最終得到TEM樣品。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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