恭喜沈陽硅基科技有限公司賈文博獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜沈陽硅基科技有限公司申請的專利一種直接生長SOI的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110739262B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911028055.2，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權一種直接生長SOI的方法是由賈文博設計研發完成，并于2019-10-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種直接生長SOI的方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種直接生長SOI的方法，所述方法包括：對預定硅片進行氧化；使用二乙氧基甲基硅烷作為炭源，在預定硅片的氧化層上沉積非晶炭，得到具有非晶炭層的硅片；對所述具有非晶炭層的硅片進行高溫退火還原處理，使所述氧化層與所述非晶炭層發生化學反應，生成單晶硅和一氧化碳，得到具有頂層單晶硅的硅片；其中，處理過程采用惰性氣體進行保護；將所述具有頂層單晶硅的硅片放入外延設備中，使所述頂層單晶硅的厚度外延生長至預定厚度，得到SOI。本發明的直接生長SOI的方法，可以簡化制備工藝流程且生產成本低、產能高。
本發明授權一種直接生長SOI的方法在權利要求書中公布了：1.一種直接生長SOI的方法，其特征在于，所述方法包括： 對預定硅片進行氧化； 使用二乙氧基甲基硅烷作為炭源，在預定硅片的氧化層上沉積非晶炭，得到具有非晶炭層的硅片； 對所述具有非晶炭層的硅片進行高溫退火還原處理，使所述氧化層與所述非晶炭層發生化學反應，生成單晶硅和一氧化碳，得到具有頂層單晶硅的硅片；其中，處理過程采用惰性氣體進行保護； 將所述具有頂層單晶硅的硅片放入外延設備中，使所述頂層單晶硅的厚度外延生長至預定厚度，得到SOI； 其中，SOI中間層為所述高溫退火還原處理后的剩余氧化層，SOI頂層硅為預定厚度的頂層單晶硅。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人沈陽硅基科技有限公司，其通訊地址為：110000 遼寧省沈陽市沈陽出口加工區渾南東路15-22號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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