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龍圖騰網獲悉英飛凌科技股份有限公司申請的專利半導體襯底配置結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113451143B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110308274.7，技術領域涉及：H01L21/48；該發明授權半導體襯底配置結構是由C·林貝特-里維埃;M·戈爾達默;L·洛特貝;U·維爾克設計研發完成，并于2021-03-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體襯底配置結構在說明書摘要公布了：一種半導體襯底配置結構包括半導體襯底10，所述半導體襯底10包括介電絕緣層11和附接到所述介電絕緣層11的第一金屬化層111，其中，所述第一金屬化層111在垂直方向z上布置在所述介電絕緣層11上。所述半導體襯底配置結構還包括在垂直方向z上布置在所述第一金屬化層111上的導電涂層20，使得所述第一金屬化層111布置在所述導電涂層20與所述介電絕緣層11之間。在距所述導電涂層20的外周的第一距離x1內的水平平面x?y中，所述第一金屬化層111不包括任何空腔或溝槽40，或者僅包括在水平方向x，y上具有小于10μm的最大寬度w40和在垂直方向z上具有小于3μm的最大深度d40的空腔或溝槽40。

本發明授權半導體襯底配置結構在權利要求書中公布了：1.一種用于形成半導體襯底配置結構的方法，所述方法包括： 將掩模30形成在半導體襯底10上，所述半導體襯底10包括介電絕緣層11和布置在所述介電絕緣層11上的第一金屬化層111，所述掩模30包括至少一個開口，其中，所述第一金屬化層111布置在所述掩模30與所述介電絕緣層11之間； 將導電涂層20形成在第一金屬化層111上，其中，所述導電涂層20在所述至少一個開口中形成在所述第一金屬化層111的那些未被掩膜30覆蓋的區域上；以及 在形成所述導電涂層20之后，將所述掩模30從半導體襯底10上去除，其中 形成掩模30包括或者將均勻的材料層施加在所述第一金屬化層111上而使得掩模30在與掩模30的邊緣鄰近的區域中在垂直方向z上的厚度d30等于所述掩模30的更遠離所述邊緣的區域在垂直方向z上的厚度d32，或者將所述掩模30的材料施加在所述第一金屬化層111上而使得所述掩模30在與所述掩模30的邊緣鄰近的區域中的厚度d30大于所述掩模30的更遠離所述邊緣的區域的厚度d32，其中，垂直方向z垂直于半導體襯底10的頂表面， 其中，與掩模30的邊緣鄰近的區域是布置在距所述掩模30的邊緣2mm內或4mm內的區域；以及 其中，掩模30被形成為使得所述半導體襯底10的頂表面與所述掩模30的所述邊緣之間的角度α在90°至130°之間。

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