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龍圖騰網(wǎng)獲悉三星顯示有限公司申請的專利量子點(diǎn)、包括量子點(diǎn)的量子點(diǎn)聚合物復(fù)合物和顯示裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113388386B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110274434.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C09K11/02；該發(fā)明授權(quán)量子點(diǎn)、包括量子點(diǎn)的量子點(diǎn)聚合物復(fù)合物和顯示裝置是由安珠娫;楊惠淵;金泰坤;李鍾敏;田信愛設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-03-15向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本量子點(diǎn)、包括量子點(diǎn)的量子點(diǎn)聚合物復(fù)合物和顯示裝置在說明書摘要公布了：公開了一種量子點(diǎn)、包括該量子點(diǎn)的量子點(diǎn)聚合物復(fù)合物和顯示裝置，其中，量子點(diǎn)包括：模板，包括第一半導(dǎo)體納米晶體；量子阱例如，量子阱層，設(shè)置在模板上；以及殼，設(shè)置在量子阱上，殼包括第二半導(dǎo)體納米晶體，并且其中，量子點(diǎn)不包括鎘，其中，第一半導(dǎo)體納米晶體包括第一鋅硫?qū)倩铮渲校诙雽?dǎo)體納米晶體包括第二鋅硫?qū)倩铮⑶伊孔于鍖影ò烮n、磷P、鋅Zn和硫?qū)僭氐暮辖鸢雽?dǎo)體納米晶體，其中，合金半導(dǎo)體納米晶體的帶隙能比第一半導(dǎo)體納米晶體的帶隙能小，且比第二半導(dǎo)體納米晶體的帶隙能小。

本發(fā)明授權(quán)量子點(diǎn)、包括量子點(diǎn)的量子點(diǎn)聚合物復(fù)合物和顯示裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種量子點(diǎn)，所述量子點(diǎn)包括： 模板，包括第一半導(dǎo)體納米晶體； 量子阱層，設(shè)置在所述模板上，并圍繞所述模板的表面的至少一部分；以及 殼，設(shè)置在所述量子阱層上，所述殼包括第二半導(dǎo)體納米晶體， 其中，所述量子點(diǎn)不包括鎘， 其中，所述第一半導(dǎo)體納米晶體包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnS或它們的組合， 其中，所述第二半導(dǎo)體納米晶體包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnS或它們的組合， 其中，所述量子阱層包括包含銦、磷、鋅和硫?qū)僭氐暮辖鸢雽?dǎo)體納米晶體， 其中，所述硫?qū)僭匕颍⑶?其中，所述合金半導(dǎo)體納米晶體的帶隙能比所述第一半導(dǎo)體納米晶體的帶隙能小，并且比所述第二半導(dǎo)體納米晶體的帶隙能小。

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