達爾科技股份有限公司D·威爾科克森獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)獲悉達爾科技股份有限公司申請的專利具有邊緣支撐件的經(jīng)薄化半導體芯片獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN113394175B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202110268975.2，技術領域涉及：H01L23/31；該發(fā)明授權具有邊緣支撐件的經(jīng)薄化半導體芯片是由D·威爾科克森;莊喬舜;R·劉;T·蔡;W·張設計研發(fā)完成，并于2021-03-12向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本具有邊緣支撐件的經(jīng)薄化半導體芯片在說明書摘要公布了：本申請案涉及一種具有邊緣支撐件的經(jīng)薄化半導體芯片。揭示一種裝置電阻得以減小的半導體裝置。所述半導體裝置包括半導體芯片，其中所述芯片的安置有電路元件的中心部分處的芯片厚度是均勻的且不同于在遠離所述電路元件的芯片側(cè)面附近的芯片厚度。
本發(fā)明授權具有邊緣支撐件的經(jīng)薄化半導體芯片在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其包括： 半導體芯片，其具有芯片頂部表面、芯片底部表面及芯片側(cè)面； 具有第一電阻率的第一半導體層及位于所述第一半導體層下方的襯底，所述襯底具有比所述第一電阻率低的第二電阻率； 電路元件，其在所述芯片頂部表面附近安置在所述芯片的中心部分的所述第一半導體層中； 結(jié)構，其位于所述襯底中，所述結(jié)構在所述電路元件附近在所述芯片的所述中心部分處具有均勻的第一厚度，且在遠離所述電路元件的所述芯片側(cè)面附近具有大于所述第一厚度的變化的第二厚度；及 模制化合物層，其具有平坦后表面，所述平坦后表面覆蓋在所述電路元件附近的所述芯片的所述中心部分處具有所述均勻的第一厚度的所述結(jié)構。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" >達爾科技股份有限公司，其通訊地址為：美國德克薩斯州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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