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龍圖騰網獲悉江蘇潤陽世紀光伏科技有限公司申請的專利一種太陽能電池的SiN/SiON/SiN層疊薄膜及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112713218B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011604412.8，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權一種太陽能電池的SiN/SiON/SiN層疊薄膜及其制備方法是由李學峰設計研發完成，并于2020-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種太陽能電池的SiN/SiON/SiN層疊薄膜及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種太陽能電池的SiNSiONSiN層疊薄膜及其制備方法，包括如下步驟：1采用PECVD法在襯底背表面沉積形成氮化硅薄膜；2再采用PECVD法在所述氮化硅薄膜的表面沉積形成氮氧化硅薄膜；3然后再采用PECVD法在所述氮氧化硅薄膜的表面沉積形成氮化硅薄膜；最后在所述襯底背表面依次得到SiNSiONSiN層疊薄膜，綜合膜厚為70nm～90nm、折射率為2.08～2.10。本發明的SiNSiONSiN層疊薄膜能夠降低太陽能電池背面電學復合，提高鈍化效果。

本發明授權一種太陽能電池的SiN/SiON/SiN層疊薄膜及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種太陽能電池的SiNSiONSiN層疊薄膜的制備方法，其特征在于， 所述SiNSiONSiN層疊薄膜的結構是在襯底背表面依次具有氮化硅薄膜層、氮氧化硅薄膜層和氮化硅薄膜層，所述SiNSiONSiN層疊薄膜綜合膜厚為70nm~90nm、折射率為2.08~2.10； 包括如下步驟： （1）采用PECVD法在襯底背表面沉積形成氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜的折射率為2.10-2.15、膜厚為15nm～25nm； 控制PECVD法中所用反應氣NH3流量為4500sccm、SiH4流量為1100sccm，反應氣NH3、SiH4的體積比為9:2.2，控制沉積時間為420s獲得； （2）再采用PECVD法在所述氮化硅薄膜的表面沉積形成氮氧化硅薄膜，所述氮氧化硅薄膜的折射率為2.10-2.15、膜厚為15nm～25nm； 控制PECVD法中所用反應氣中N2O流量為200sccm、NH3流量為1500sccm、SiH4的流量為3500sccm，反應氣N2O、NH3、SiH4的體積比為1:7.5:17.5，控制沉積時間為600s獲得； （3）然后再采用PECVD法在所述氮氧化硅薄膜的表面沉積形成氮化硅薄膜所述氮化硅薄膜的折射率為2.10-2.15、膜厚為30nm～40nm； 控制PECVD法中所用反應氣中NH3流量為6000sccm、SiH4的流量為850sccm，反應氣NH3、SiH4的體積比為7.06:1，控制沉積時間為240s獲得； 最后在所述襯底背表面依次得到SiNSiONSiN層疊薄膜。

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