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恭喜三星電子株式會社曹昭惠獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜三星電子株式會社申請的專利包括硅通孔的集成電路半導體器件獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113451256B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202011555509.4,技術領域涉及:H01L23/498;該發明授權包括硅通孔的集成電路半導體器件是由曹昭惠;姜泌圭;文光辰;金泰成設計研發完成,并于2020-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。

包括硅通孔的集成電路半導體器件在說明書摘要公布了:公開了一種集成電路半導體器件,包括:襯底,包括第一表面和與第一表面相對的第二表面;溝槽,在襯底中,溝槽從襯底的第一表面朝向襯底的第二表面延伸;硅通孔TSV著陸部,在溝槽中,TSV著陸部具有與襯底的第一表面間隔開的第一部分,以及第一部分與襯底的第一表面之間的第二部分,第一部分比第二部分寬;TSV孔,在襯底中,TSV孔從襯底的第二表面延伸并且與TSV著陸部的底表面對齊;以及TSV,在TSV孔中并且與TSV著陸部的底表面接觸。

本發明授權包括硅通孔的集成電路半導體器件在權利要求書中公布了:1.一種集成電路半導體器件,包括: 襯底,包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面; 溝槽,在所述襯底中,所述溝槽從所述襯底的所述第一表面朝向所述襯底的所述第二表面延伸; 硅通孔TSV著陸部,在所述溝槽中,所述TSV著陸部具有: 與所述襯底的所述第一表面間隔開的第一部分,以及 所述第一部分與所述襯底的所述第一表面之間的第二部分,所述第一部分比所述第二部分寬; TSV孔,在所述襯底中,所述TSV孔從所述襯底的所述第二表面延伸并且與所述TSV著陸部的底表面對齊,其中,所述TSV孔在形成所述硅通孔TSV著陸部之后形成;以及 TSV,在所述TSV孔中并且與所述TSV著陸部的所述底表面接觸, 其中,所述硅通孔TSV著陸部與所述TSV是不同的元件。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社,其通訊地址為:韓國京畿道;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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