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龍圖騰網(wǎng)恭喜中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體器件及其形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112397442B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201910744276.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其形成方法是由張?zhí)锾?荊學(xué)珍;童哲源;肖張茹;于海龍?jiān)O(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-08-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體器件及其形成方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其形成方法，其形成方法，包括：提供基底，所述基底上具有層間介質(zhì)層；刻蝕所述層間介質(zhì)層形成接觸孔，所述接觸孔暴露出所述基底表面；在所述接觸孔內(nèi)的所述基底上形成阻擋層；在所述阻擋層上形成金屬層，且所述金屬層填充滿所述接觸孔。本發(fā)明利用阻擋層中的離子能夠較好地吸附這種電負(fù)性較大的離子，因此阻擋層能夠起到有效地阻擋電負(fù)性較大的離子發(fā)生擴(kuò)散，從而避免電負(fù)性較大的離子擴(kuò)散，減少對(duì)半導(dǎo)體器件造成損傷，從而使得形成的半導(dǎo)體器件的性能得到提高。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上具有層間介質(zhì)層； 刻蝕所述層間介質(zhì)層形成接觸孔，所述接觸孔暴露出所述基底的表面，形成所述接觸孔工藝中含有F； 在所述接觸孔的底部、側(cè)壁以及所述層間介質(zhì)層的表面上形成反應(yīng)金屬層； 在所述反應(yīng)金屬層的表面上形成擴(kuò)散阻擋層； 去除所述擴(kuò)散阻擋層以及未參加反應(yīng)的所述反應(yīng)金屬層； 在所述接觸孔內(nèi)的所述基底上形成阻擋層； 在所述阻擋層上形成金屬層，且所述金屬層填充滿所述接觸孔； 所述阻擋層的材料為鈷或鉭，所述阻擋層位于所述接觸孔的底部。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。