恭喜中國地質(zhì)大學(xué)(北京)劉永升獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜中國地質(zhì)大學(xué)(北京)申請的專利一種鉆桿內(nèi)壁泥皮清洗裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN112049589B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-17發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202011092783.2,技術(shù)領(lǐng)域涉及:E21B21/00;該發(fā)明授權(quán)一種鉆桿內(nèi)壁泥皮清洗裝置是由劉永升;張健松;豆子鈞;楊甘生;陳國強(qiáng);孫宇宸設(shè)計研發(fā)完成,并于2020-10-13向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種鉆桿內(nèi)壁泥皮清洗裝置在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供了一種鉆桿內(nèi)壁泥皮清洗裝置,涉及地質(zhì)鉆探繩索取心去除鉆桿內(nèi)壁泥皮設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,解決了清洗裝置密封易失效、結(jié)構(gòu)復(fù)雜的技術(shù)問題。該鉆桿內(nèi)壁泥皮清洗裝置包括外筒,外筒為中空結(jié)構(gòu),底部封口,內(nèi)部具有供高壓液流通過的液流主通道以及與液流主通道連通能將高壓液流進(jìn)行分支導(dǎo)向的液流分支通道;還包括可拆卸設(shè)置在外筒上與液流分支通道連通以將高壓液流噴到鉆桿內(nèi)壁上的靜噴嘴和動噴嘴;還包括活動設(shè)置在動噴嘴內(nèi)部的旋流噴嘴,通過旋流噴嘴,能使高壓液流以旋流形式從動噴嘴中噴出。本發(fā)明具有清洗效果好、覆蓋面更廣、壽命長、結(jié)構(gòu)簡單的特點。
本發(fā)明授權(quán)一種鉆桿內(nèi)壁泥皮清洗裝置在權(quán)利要求書中公布了:1.一種鉆桿內(nèi)壁泥皮清洗裝置,其特征在于,包括外筒,所述外筒為中空結(jié)構(gòu),底部封口,內(nèi)部具有供高壓液流通過的液流主通道以及與所述液流主通道連通能將高壓液流進(jìn)行分支導(dǎo)向的液流分支通道;還包括可拆卸設(shè)置在所述外筒上與所述液流分支通道連通以將高壓液流噴到鉆桿內(nèi)壁上的靜噴嘴和動噴嘴;還包括活動設(shè)置在所述動噴嘴內(nèi)部的旋流噴嘴,通過所述旋流噴嘴,能使高壓液流以旋流形式從所述動噴嘴中噴出; 所述液流分支通道分為上下兩層設(shè)置,且每層所述液流分支通道均沿所述外筒圓周方向整圈均勻設(shè)置; 所述靜噴嘴位于所述動噴嘴上部,且所述靜噴嘴和所述動噴嘴均斜向下傾斜設(shè)置,所述靜噴嘴數(shù)量為六個,所述動噴嘴數(shù)量為三個,二者上下錯位設(shè)置; 所述靜噴嘴和所述動噴嘴螺接在所述外筒上; 所述靜噴嘴包括依次設(shè)置的基礎(chǔ)圓柱段、收縮段和出口整流段;所述基礎(chǔ)圓柱段上設(shè)置有與所述外筒連接的外螺紋段;所述收縮段的錐度θ為12-14°;所述靜噴嘴出口端直徑a與入口端直徑A的比值為0.5-0.6;所述出口整流段為圓柱體結(jié)構(gòu),長度為所述靜噴嘴出口端直徑a的3-4倍;所述靜噴嘴內(nèi)流道表面上設(shè)置有減阻增速的第一仿生環(huán)槽; 所述動噴嘴包括錐臺形仿生外殼、依次設(shè)置在所述仿生外殼內(nèi)的板式密封圈、分流盤、旋流噴嘴、仿生墊圈、以及旋接在所述仿生外殼頂部末端抵接在所述板式密封圈上的上部接頭;所述上部接頭內(nèi)腔兩端分別與所述液流分支通道和所述分流盤內(nèi)腔連通;所述分流盤側(cè)壁上設(shè)置有能將其內(nèi)腔中的液體轉(zhuǎn)向90度后輸出的出液口,所述分流盤底部沿圓周方向設(shè)置有用于對所述旋流噴嘴一端進(jìn)行限位和導(dǎo)向的環(huán)形卡槽;所述仿生墊圈朝向所述旋流噴嘴一側(cè)設(shè)置有用于對所述旋流噴嘴另一端進(jìn)行限位和導(dǎo)向的錐臺形卡槽,所述旋流噴嘴傾斜偏心設(shè)置在所述分流盤和所述仿生墊圈之間,所述旋流噴嘴為圓柱體桿狀結(jié)構(gòu),內(nèi)部具有流體腔,側(cè)壁上開設(shè)有條形進(jìn)水口,所述旋流噴嘴靠近所述仿生墊圈一端設(shè)置有與所述仿生墊圈的出水口連通的噴水口;所述仿生外殼內(nèi)壁上均勻設(shè)置有減阻增速的第二仿生凸包或第二仿生凹坑;所述仿生墊圈的所述錐臺形卡槽內(nèi)壁上均勻設(shè)置有減阻增速的第三仿生凹坑;所述旋流噴嘴的流體腔表面設(shè)置有減阻增速的第四仿生環(huán)槽。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人中國地質(zhì)大學(xué)(北京),其通訊地址為:100089 北京市海淀區(qū)學(xué)院路29號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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