恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司陳瑞麟獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利一種半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112530949B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-17發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010265065.4，技術領域涉及：H10B10/00；該發明授權一種半導體器件及其制造方法是由陳瑞麟;張朝淵;林祐寬;楊昌達;王屏薇設計研發完成，并于2020-04-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：一種半導體器件包括：柵極結構、源極漏極、設置在柵極結構和源極漏極上方的第一通孔，并且第一金屬線在截面圖中具有比第一通孔更高的垂直位置。第一通孔電連接至柵極結構和源極漏極。第一金屬線和第一通孔均沿第一方向延伸。在不同于第一方向的第二方向上，金屬線與第一通孔分隔開第一距離。第一金屬線包括在第二方向上向外突出的突起部分。本發明實施例還提供了一種半導體器件的制造方法。
本發明授權一種半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括： 柵極結構； 源極漏極； 第一通孔，設置在所述柵極結構和所述源極漏極上方，其中，所述第一通孔電連接至所述柵極結構和所述源極漏極；和 第一金屬線，在截面圖中具有比所述第一通孔更高的垂直位置； 其中： 所述半導體器件包括根據5納米技術節點或小于5納米技術節點的技術節點制造的FinFET； 所述第一金屬線和所述第一通孔均沿第一方向延伸； 在不同于所述第一方向的第二方向上，所述第一金屬線與所述第一通孔分隔開第一距離；以及 所述第一金屬線包括在所述第二方向上向外突出的突起部分，其中，所述突起部分沒有與任何通孔物理接觸。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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