臺灣積體電路制造股份有限公司張邦圣獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN110729246B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-24發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201910015643.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/85；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由張邦圣;尹煜峰;王朝勛;趙高毅;楊復(fù)凱;王美勻;張峰瑜;高承遠(yuǎn);洪嘉陽;張家勝;孫書輝;謝志宏;潘昇良;郭國憑;吳少均設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-01-08向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種方法包含形成金屬柵極結(jié)構(gòu)，金屬柵極結(jié)構(gòu)包含柵極介電層及柵極電極。對金屬柵極結(jié)構(gòu)的頂表面進(jìn)行表面處理，表面處理將柵極電極的頂部轉(zhuǎn)變?yōu)檠趸瘜印Ｔ跂艠O電極上方形成導(dǎo)電層，導(dǎo)電層的形成包含以金屬元素取代氧化層中的氧。在金屬柵極結(jié)構(gòu)上方形成插塞部件，插塞部件與導(dǎo)電層直接接觸。
本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括： 形成一金屬柵極結(jié)構(gòu)，其中該金屬柵極結(jié)構(gòu)包括一柵極介電層及一柵極電極； 對該金屬柵極結(jié)構(gòu)的一頂表面進(jìn)行一表面處理，其中該表面處理將該柵極電極的一頂部轉(zhuǎn)變?yōu)橐谎趸瘜樱?在該柵極電極上方形成一導(dǎo)電層，其中該導(dǎo)電層的形成包括以一金屬元素取代該氧化層中的氧；以及 在該金屬柵極結(jié)構(gòu)上方形成一插塞部件，其中該插塞部件與該導(dǎo)電層直接接觸。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報(bào)告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準(zhǔn)確性。
2、報(bào)告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報(bào)告當(dāng)日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔(dān)任何法律責(zé)任的依據(jù)或者憑證。
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