臺灣積體電路制造股份有限公司張邦圣獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN110729246B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-24發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:201910015643.6,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10D84/85;該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由張邦圣;尹煜峰;王朝勛;趙高毅;楊復(fù)凱;王美勻;張峰瑜;高承遠(yuǎn);洪嘉陽;張家勝;孫書輝;謝志宏;潘昇良;郭國憑;吳少均設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2019-01-08向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了:一種方法包含形成金屬柵極結(jié)構(gòu),金屬柵極結(jié)構(gòu)包含柵極介電層及柵極電極。對金屬柵極結(jié)構(gòu)的頂表面進(jìn)行表面處理,表面處理將柵極電極的頂部轉(zhuǎn)變?yōu)檠趸瘜印T跂艠O電極上方形成導(dǎo)電層,導(dǎo)電層的形成包含以金屬元素取代氧化層中的氧。在金屬柵極結(jié)構(gòu)上方形成插塞部件,插塞部件與導(dǎo)電層直接接觸。
本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法,包括: 形成一金屬柵極結(jié)構(gòu),其中該金屬柵極結(jié)構(gòu)包括一柵極介電層及一柵極電極; 對該金屬柵極結(jié)構(gòu)的一頂表面進(jìn)行一表面處理,其中該表面處理將該柵極電極的一頂部轉(zhuǎn)變?yōu)橐谎趸瘜樱?在該柵極電極上方形成一導(dǎo)電層,其中該導(dǎo)電層的形成包括以一金屬元素取代該氧化層中的氧;以及 在該金屬柵極結(jié)構(gòu)上方形成一插塞部件,其中該插塞部件與該導(dǎo)電層直接接觸。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司,其通訊地址為:中國臺灣新竹市;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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