意法半導體股份有限公司A·加塔尼獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)獲悉意法半導體股份有限公司申請的專利用于功率MOSFET器件的抗老化架構獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN112448566B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202010920181.5，技術領域涉及：H02M1/08；該發(fā)明授權用于功率MOSFET器件的抗老化架構是由A·加塔尼;A·加斯帕里尼設計研發(fā)完成，并于2020-09-04向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本用于功率MOSFET器件的抗老化架構在說明書摘要公布了：本公開的實施例涉及一種用于功率MOSFET器件的抗老化架構。功率MOS級包括第一功率MOS器件和第二功率MOS器件，并聯(lián)連接在第一節(jié)點和第二節(jié)點之間，第一功率MOS器件具有第一額定電壓，并且第二功率MOS器件具有第二額定電壓，第二額定電壓低于第一額定電壓。驅動器電路被配置成在致動功率MOS級時，通過如下而以序列的方式來驅動第一和第二功率MOS器件的控制節(jié)點：在致動第二功率MOS器件之前，致動第一功率MOS器件。在解致動功率MOS級時，第一和第二功率MOS器件的控制節(jié)點通過如下而以序列的方式進一步被驅動：在解致動第一功率MOS器件之前，解致動第二功率MOS器件。
本發(fā)明授權用于功率MOSFET器件的抗老化架構在權利要求書中公布了：1.一種電路，包括： 功率MOS級；以及 驅動器電路，被配置成驅動所述功率MOS級； 其中所述功率MOS級包括第一功率MOS器件和第二功率MOS器件，所述第一功率MOS器件和所述第二功率MOS器件被并聯(lián)連接在第一節(jié)點與第二節(jié)點之間，所述第一功率MOS器件具有第一額定電壓，并且所述第二功率MOS器件具有第二額定電壓，所述第二額定電壓低于所述第一額定電壓；并且 其中所述驅動器電路被配置成在通過如下方式致動所述功率MOS級時，以序列的方式來驅動所述第一功率MOS器件和所述第二功率MOS器件的控制節(jié)點：在致動具有所述第二額定電壓的所述第二功率MOS器件之前，致動具有所述第一額定電壓的所述第一功率MOS器件。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人意法半導體股份有限公司，其通訊地址為：意大利阿格拉布里安扎；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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