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龍圖騰網恭喜珠海格力電器股份有限公司;珠海零邊界集成電路有限公司申請的專利溝槽型IGBT及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111180338B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010103077.7，技術領域涉及：H10D12/01；該發明授權溝槽型IGBT及其制備方法是由謝梓翔;史波;肖婷;陳茂麟設計研發完成，并于2020-02-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本溝槽型IGBT及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種溝槽型IGBT及其制備方法。該制備方法包括以下步驟：S1，提供具有發射區的基體，形成貫穿基體的第一表面和發射區的溝槽；S2，形成覆蓋溝槽和第一表面的第一柵氧層，并形成覆蓋第一柵氧層的柵極層，柵極層中的部分填充于溝槽中；S3，在溝槽之間的基體中形成貫穿柵極層和第一柵氧層并延伸至發射區內的接觸孔，在接觸孔的部分表面形成第二柵氧層，并在接觸孔中形成發射極，第二柵氧層隔離發射極和柵極層。該制備方法通過上述第二柵氧層隔離發射極和柵極層，有效避免了柵極和發射極短接而導致的IGBT失效。并且，上述制備方法中還能夠進一步通過增大接觸孔與發射區的接觸面積，使得接觸孔與發射區之間的過電流能力增強。

本發明授權溝槽型IGBT及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種溝槽型IGBT的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： S1，提供具有發射區的基體，形成貫穿所述基體的第一表面和所述發射區的溝槽； S2，形成覆蓋所述溝槽和所述第一表面的第一柵氧層，并形成覆蓋所述第一柵氧層的柵極層，所述柵極層中的部分填充于所述溝槽中； S3，在所述溝槽之間的所述基體中形成貫穿所述柵極層和所述第一柵氧層并延伸至所述發射區內的接觸孔，在所述接觸孔的部分表面形成第二柵氧層，并在所述接觸孔中形成發射極，所述第二柵氧層隔離所述發射極和所述柵極層； 所述步驟S3包括： 形成覆蓋所述柵極層的層間介質層； 形成從所述層間介質層的表面貫穿至所述發射區內的所述接觸孔，在所述接觸孔底部填充第一發射極材料，所述第一發射極材料的上表面低于位于所述第一表面上的所述第一柵氧層的下表面； 形成覆蓋所述接觸孔的裸露表面的所述第二柵氧層； 在所述接觸孔中除所述第二柵氧層之外的區域填充第二發射極材料，所述第二發射極材料與所述第一發射極材料接觸構成所述發射極。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人珠海格力電器股份有限公司;珠海零邊界集成電路有限公司，其通訊地址為：519070 廣東省珠海市前山金雞西路六號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。