恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司周鳴獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112951981B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911267677.0，技術領域涉及：H10N50/10；該發明授權半導體結構及其形成方法是由周鳴設計研發完成，并于2019-12-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底內具有導電層，且所述基底表面暴露出所述導電層表面；在所述基底內形成與所述導電層相鄰的凹槽，且所述凹槽側壁暴露出所述導電層的側壁表面；在所述凹槽內和所述導電層頂部表面形成下層電極層；在所述下層電極層表面形成磁隧道材料膜。所述方法形成的半導體結構的電學性能得到提高。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 基底，所述基底內具有導電層，且所述基底表面暴露出所述導電層表面； 位于所述基底內與導電層相鄰的凹槽，且所述凹槽側壁暴露出所述導電層的側壁表面； 位于所述基底表面的停止層； 位于所述凹槽內和導電層頂部表面的下層電極層，且所述下層電極層覆蓋導電層的頂部表面且延伸至導電層的側壁表面，所述下層電極層表面齊平于所述停止層表面； 位于所述下層電極層表面的磁隧道材料膜。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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