廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司賴玉財獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司申請的專利LED外延結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115000259B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210556941.8，技術領域涉及：H10H20/814；該發明授權LED外延結構及其制備方法是由賴玉財;李森林;畢京鋒;謝嵐馳;廖寅生;薛龍;王亞宏設計研發完成，并于2022-05-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本LED外延結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種LED外延結構及其制備方法，其中所述LED外延結構從下至上依次包括：位于襯底上的底部緩沖層、分布式布拉格反射鏡層、第一型半導體層、有源層以及第二型半導體層，其中分布式布拉格反射鏡層從下至上依次包括第一分布式布拉格反射鏡層、過渡層和第二分布式布拉格反射鏡層，第一分布式布拉格反射鏡層為第一AlAs層和AlGaAsP層交替排列的周期性結構；第二分布式布拉格反射鏡層為第二AlAs層和AlGaAs層交替排列的周期性結構。本發明通過分布式布拉格反射鏡層的結構設置，可以降低由于分布式布拉格反射鏡層高周期數引起的外延結構的高翹曲度，減少后續芯片制程中的劃傷和碎片風險。
本發明授權LED外延結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種LED外延結構，其特征在于，所述LED外延結構從下至上依次包括：位于襯底上的底部緩沖層、分布式布拉格反射鏡層、第一型半導體層、有源層以及第二型半導體層，其中所述分布式布拉格反射鏡層從下至上依次包括第一分布式布拉格反射鏡層、過渡層和第二分布式布拉格反射鏡層，所述第一分布式布拉格反射鏡層為第一AlAs層和AlGaAsP層交替排列的周期性結構；所述第二分布式布拉格反射鏡層為第二AlAs層和AlGaAs層交替排列的周期性結構，所述過渡層的材料包括AlaGa1-a0.5As0.5-bPb，其中0.5≤a≤1，0≤b≤0.2。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司，其通訊地址為：361012 福建省廈門市海滄區蘭英路99號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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