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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國電子科技集團公司第二十四研究所申請的專利一種大動態(tài)低附加相移射頻可編程增益放大器獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114928339B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210506577.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H03F3/193；該發(fā)明授權(quán)一種大動態(tài)低附加相移射頻可編程增益放大器是由熊翼通;蒲顏;萬開奇;劉莉薇;王國強設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-05-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種大動態(tài)低附加相移射頻可編程增益放大器在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路設(shè)計領(lǐng)域，具體涉及一種大動態(tài)低附加相移射頻可編程增益放大器，包括偏置電壓、晶體管M1?M5、電阻R1?R4、電感L1?L2、兩個電流控制陣列、兩個相位補償陣列，其中晶體管M1和晶體管M2組成共源極差分對管，電阻R1與電阻R2分別為晶體管M1和晶體管M2提供柵壓偏置；晶體管M3和晶體管M4組成共柵極放大級；晶體管M5為尾電流源，用于保障放大器整體電流不變；電流控制陣列用于實現(xiàn)對放大器增益的編程控制；相位補償陣列用于消除前饋電容影響，減小增益變化引起的附加相移，本發(fā)明提高了CMOS射頻可編程增益放大器的增益變化范圍，并減小了增益變化過程中引入的信號附加相移。

本發(fā)明授權(quán)一種大動態(tài)低附加相移射頻可編程增益放大器在權(quán)利要求書中公布了：1.一種大動態(tài)低附加相移射頻可編程增益放大器，其特征在于，包括：偏置電壓、晶體管M1-M5、電阻R1-R4、電感L1-L2、兩個電流控制陣列、兩個相位補償陣列，電流控制陣列包括1端和2端，相位補償陣列包括1端和2端，其中：晶體管M1的漏極連接晶體管M3的源極，晶體管M2的漏極連接晶體管M4的源極，晶體管M1與晶體管M2的源極連接晶體管M5的漏極，晶體管M5的柵極與偏置電壓2端相連，偏置電壓1端連接電阻R1和電阻R2，電阻R3、電感L1、電感L2和電阻R4依次串聯(lián)；兩個電流控制陣列的1端分別連接晶體管M3、晶體管M4的源極，對應(yīng)的2端分別連接晶體管M3、晶體管M4的漏極；兩個相位補償陣列的1端分別連接晶體管M3的源極、晶體管M4的源極，對應(yīng)的2端分別連接晶體管M4的漏極、晶體管M3的漏極；晶體管M1和晶體管M2組成共源極差分對管，電阻R1與電阻R2分別為晶體管M1和晶體管M2提供柵壓偏置；晶體管M3和晶體管M4組成可編程增益放大器的共柵極放大級，電阻R3與電感L1作為晶體管M3的負(fù)載，電阻R4與電感L2作為晶體管M4的負(fù)載；晶體管M5為尾電流源，用于保障放大器整體電流不變；電流控制陣列用于實現(xiàn)對放大器增益的編程控制；相位補償陣列用于消除前饋電容影響，減小增益變化引起的附加相移；電流控制陣列包括若干電流通道和若干控制電壓，每一個電流通道都設(shè)有1口、2口和3口，所有電流通道的1口連接在電流控制陣列1端，所有電流通道的2口連接在電流控制陣列2端，每個電流通道的3口都對應(yīng)連接一個控制電壓；電流通道中包括晶體管Mg1、晶體管Mg2和反相器INV1，晶體管Mg1的源極、漏極和柵極分別連接1口、2口和3口；所述晶體管Mg2的柵極、源極和漏極分別連接反相器輸出端、1口和電源端；所述反相器的輸入端與3口相連。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國電子科技集團公司第二十四研究所，其通訊地址為：400060 重慶市南岸區(qū)南坪花園路14號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。