中國電子科技集團公司第二十四研究所熊翼通獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國電子科技集團公司第二十四研究所申請的專利一種大動態(tài)低附加相移射頻可編程增益放大器獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN114928339B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202210506577.4,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H03F3/193;該發(fā)明授權(quán)一種大動態(tài)低附加相移射頻可編程增益放大器是由熊翼通;蒲顏;萬開奇;劉莉薇;王國強設(shè)計研發(fā)完成,并于2022-05-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種大動態(tài)低附加相移射頻可編程增益放大器在說明書摘要公布了:本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路設(shè)計領(lǐng)域,具體涉及一種大動態(tài)低附加相移射頻可編程增益放大器,包括偏置電壓、晶體管M1?M5、電阻R1?R4、電感L1?L2、兩個電流控制陣列、兩個相位補償陣列,其中晶體管M1和晶體管M2組成共源極差分對管,電阻R1與電阻R2分別為晶體管M1和晶體管M2提供柵壓偏置;晶體管M3和晶體管M4組成共柵極放大級;晶體管M5為尾電流源,用于保障放大器整體電流不變;電流控制陣列用于實現(xiàn)對放大器增益的編程控制;相位補償陣列用于消除前饋電容影響,減小增益變化引起的附加相移,本發(fā)明提高了CMOS射頻可編程增益放大器的增益變化范圍,并減小了增益變化過程中引入的信號附加相移。
本發(fā)明授權(quán)一種大動態(tài)低附加相移射頻可編程增益放大器在權(quán)利要求書中公布了:1.一種大動態(tài)低附加相移射頻可編程增益放大器,其特征在于,包括:偏置電壓、晶體管M1-M5、電阻R1-R4、電感L1-L2、兩個電流控制陣列、兩個相位補償陣列,電流控制陣列包括1端和2端,相位補償陣列包括1端和2端,其中:晶體管M1的漏極連接晶體管M3的源極,晶體管M2的漏極連接晶體管M4的源極,晶體管M1與晶體管M2的源極連接晶體管M5的漏極,晶體管M5的柵極與偏置電壓2端相連,偏置電壓1端連接電阻R1和電阻R2,電阻R3、電感L1、電感L2和電阻R4依次串聯(lián);兩個電流控制陣列的1端分別連接晶體管M3、晶體管M4的源極,對應(yīng)的2端分別連接晶體管M3、晶體管M4的漏極;兩個相位補償陣列的1端分別連接晶體管M3的源極、晶體管M4的源極,對應(yīng)的2端分別連接晶體管M4的漏極、晶體管M3的漏極;晶體管M1和晶體管M2組成共源極差分對管,電阻R1與電阻R2分別為晶體管M1和晶體管M2提供柵壓偏置;晶體管M3和晶體管M4組成可編程增益放大器的共柵極放大級,電阻R3與電感L1作為晶體管M3的負(fù)載,電阻R4與電感L2作為晶體管M4的負(fù)載;晶體管M5為尾電流源,用于保障放大器整體電流不變;電流控制陣列用于實現(xiàn)對放大器增益的編程控制;相位補償陣列用于消除前饋電容影響,減小增益變化引起的附加相移;電流控制陣列包括若干電流通道和若干控制電壓,每一個電流通道都設(shè)有1口、2口和3口,所有電流通道的1口連接在電流控制陣列1端,所有電流通道的2口連接在電流控制陣列2端,每個電流通道的3口都對應(yīng)連接一個控制電壓;電流通道中包括晶體管Mg1、晶體管Mg2和反相器INV1,晶體管Mg1的源極、漏極和柵極分別連接1口、2口和3口;所述晶體管Mg2的柵極、源極和漏極分別連接反相器輸出端、1口和電源端;所述反相器的輸入端與3口相連。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人中國電子科技集團公司第二十四研究所,其通訊地址為:400060 重慶市南岸區(qū)南坪花園路14號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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