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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所申請的專利一種適用于GaN驅(qū)動芯片的高壓電平移位電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114884502B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210433854.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H03K19/0185；該發(fā)明授權(quán)一種適用于GaN驅(qū)動芯片的高壓電平移位電路是由常紅;于文濤;耿鎬;張明新;黃少卿;席曉麗;武嘉瑜;肖培磊;宣志斌設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-04-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種適用于GaN驅(qū)動芯片的高壓電平移位電路在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種適用于GaN驅(qū)動芯片的高壓電平移位電路。將位于低壓域的信號轉(zhuǎn)換為高壓域的信號，其特征在于：包括電壓轉(zhuǎn)電流信號模塊、電流鏡像模塊、推挽輸出模塊、電流補(bǔ)償支路和信號維持模塊；所述電壓轉(zhuǎn)電流信號模塊用于將PWM電壓信號轉(zhuǎn)換成電流信號，所述電流鏡像模塊用于鏡像PWM電壓轉(zhuǎn)換的電流信號，作為所述推挽輸出模塊的輸入信號，所述推挽輸出模塊將電流信號轉(zhuǎn)換成高壓域的電壓信號，所述電流補(bǔ)償支路用于補(bǔ)償節(jié)點(diǎn)的電流，所述信號維持模塊提供小電流，用于維持建立的信號狀態(tài)。該方案有效解決了傳統(tǒng)電平移位電路存在功耗、傳輸延遲、CMTI能力、抗開關(guān)節(jié)點(diǎn)負(fù)壓能力之間相互矛盾的問題。

本發(fā)明授權(quán)一種適用于GaN驅(qū)動芯片的高壓電平移位電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種適用于GaN驅(qū)動芯片的高壓電平移位電路，將位于低壓域的信號轉(zhuǎn)換為高壓域的信號，其特征在于：包括電壓轉(zhuǎn)電流信號模塊、電流鏡像模塊、推挽輸出模塊、電流補(bǔ)償支路和信號維持模塊；所述電壓轉(zhuǎn)電流信號模塊用于將PWM電壓信號轉(zhuǎn)換成電流信號，所述電流鏡像模塊用于鏡像PWM電壓轉(zhuǎn)換的電流信號，作為所述推挽輸出模塊的輸入信號，所述推挽輸出模塊將電流信號轉(zhuǎn)換成高壓域的電壓信號，所述電流補(bǔ)償支路用于補(bǔ)償節(jié)點(diǎn)的電流，所述信號維持模塊提供小電流，用于維持建立的信號狀態(tài)；所述電壓轉(zhuǎn)電流信號模塊包括左右兩條支路，左側(cè)電壓轉(zhuǎn)電流信號支路由PMOS管P1、NMOS管N3、NMOS管N5、電容C1、LDMOS管LD1、PMOS管P3、緩沖器buf構(gòu)成，右側(cè)電壓轉(zhuǎn)電流信號支路由PMOS管P2、NMOS管N4、NMOS管N6、電容C2、LDMOS管LD2、PMOS管P4、反相器inv構(gòu)成；所述P1的源端接電源電壓VDD，漏端接N5的漏端、LD1的源端，柵端buf的輸出端、inv的輸入端、N5的柵端、N4的柵端；所述C1的一端接節(jié)點(diǎn)C，另一端接地；所述N5的源端接節(jié)點(diǎn)C；所述LD1的柵端接電源電壓VDD，漏端接節(jié)點(diǎn)A；所述P3的源端接高側(cè)浮動電源電壓VBST，柵端和漏端接節(jié)點(diǎn)A；所述N3管的漏端接節(jié)點(diǎn)C，源端接地，柵端接inv的輸入端、P2的柵端、N6的柵端；所述buf的輸入端接PWM；所述P2的源端接電源電壓VDD，漏端接N6的漏端、LD2的源端；所述C2的一端接節(jié)點(diǎn)D，另一端接地；所述N6的源端接節(jié)點(diǎn)D；所述LD2的柵端接電源電壓VDD，漏端接節(jié)點(diǎn)B；所述P4的源端接高側(cè)浮動電源電壓VBST，柵端和漏端接節(jié)點(diǎn)B；所述N4管的漏端接節(jié)點(diǎn)D，源端接地；所述電流鏡像模塊包括PMOS管P3、PMOS管P5、PMOS管P4、PMOS管P6，所述P5的源端接高側(cè)浮動電源電壓VBST，漏端接輸出節(jié)點(diǎn)OUT+，柵端接節(jié)點(diǎn)A；所述P6的源端接高側(cè)浮動電源電壓VBST，漏端接輸出節(jié)點(diǎn)OUT-，柵端接節(jié)點(diǎn)B；所述推挽輸出模塊包括PMOS管P5、NMOS管N7、PMOS管P6、NMOS管N8，所述N7的源端接高側(cè)浮動電源地VSW，漏端和柵端接輸出節(jié)點(diǎn)OUT+、N8的柵端；所述N8的源端接高側(cè)浮動電源地VSW，漏端接輸出節(jié)點(diǎn)OUT-；所述電流補(bǔ)償支路包括左右兩條支路，左側(cè)電流補(bǔ)償支路補(bǔ)償節(jié)點(diǎn)A的電流，由PMOS管P7、PMOS管P9構(gòu)成；右側(cè)電流補(bǔ)償支路補(bǔ)償節(jié)點(diǎn)B的電流，由PMOS管P8、PMOS管P10構(gòu)成；所述P7的源端接高側(cè)浮動電源電壓VBST，柵端接節(jié)點(diǎn)B，漏端接P9的源端；所述P9的柵端和漏端接節(jié)點(diǎn)A；所述P8的源端接高側(cè)浮動電源電壓VBST，柵端接節(jié)點(diǎn)A，漏端接P10的源端；所述P10的柵端和漏端接節(jié)點(diǎn)B；所述信號維持模塊包括偏置電流源Ibias、NMOS管N0、NMOS管N1、NMOS管N2；所述偏置電流源Ibias的一端接電源電壓VDD，另一點(diǎn)接N0的漏端和柵端、N1的柵端、N2的柵端；所述N0的源端接地；所述N1的漏端接節(jié)點(diǎn)C，源端接地；所述N2的漏端接節(jié)點(diǎn)D，源端接地。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所，其通訊地址為：214000 江蘇省無錫市濱湖區(qū)惠河路5號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。