中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所常紅獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所申請(qǐng)的專利一種適用于GaN驅(qū)動(dòng)芯片的高壓電平移位電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN114884502B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202210433854.3,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H03K19/0185;該發(fā)明授權(quán)一種適用于GaN驅(qū)動(dòng)芯片的高壓電平移位電路是由常紅;于文濤;耿鎬;張明新;黃少卿;席曉麗;武嘉瑜;肖培磊;宣志斌設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2022-04-24向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種適用于GaN驅(qū)動(dòng)芯片的高壓電平移位電路在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種適用于GaN驅(qū)動(dòng)芯片的高壓電平移位電路。將位于低壓域的信號(hào)轉(zhuǎn)換為高壓域的信號(hào),其特征在于:包括電壓轉(zhuǎn)電流信號(hào)模塊、電流鏡像模塊、推挽輸出模塊、電流補(bǔ)償支路和信號(hào)維持模塊;所述電壓轉(zhuǎn)電流信號(hào)模塊用于將PWM電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成電流信號(hào),所述電流鏡像模塊用于鏡像PWM電壓轉(zhuǎn)換的電流信號(hào),作為所述推挽輸出模塊的輸入信號(hào),所述推挽輸出模塊將電流信號(hào)轉(zhuǎn)換成高壓域的電壓信號(hào),所述電流補(bǔ)償支路用于補(bǔ)償節(jié)點(diǎn)的電流,所述信號(hào)維持模塊提供小電流,用于維持建立的信號(hào)狀態(tài)。該方案有效解決了傳統(tǒng)電平移位電路存在功耗、傳輸延遲、CMTI能力、抗開關(guān)節(jié)點(diǎn)負(fù)壓能力之間相互矛盾的問題。
本發(fā)明授權(quán)一種適用于GaN驅(qū)動(dòng)芯片的高壓電平移位電路在權(quán)利要求書中公布了:1.一種適用于GaN驅(qū)動(dòng)芯片的高壓電平移位電路,將位于低壓域的信號(hào)轉(zhuǎn)換為高壓域的信號(hào),其特征在于:包括電壓轉(zhuǎn)電流信號(hào)模塊、電流鏡像模塊、推挽輸出模塊、電流補(bǔ)償支路和信號(hào)維持模塊;所述電壓轉(zhuǎn)電流信號(hào)模塊用于將PWM電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成電流信號(hào),所述電流鏡像模塊用于鏡像PWM電壓轉(zhuǎn)換的電流信號(hào),作為所述推挽輸出模塊的輸入信號(hào),所述推挽輸出模塊將電流信號(hào)轉(zhuǎn)換成高壓域的電壓信號(hào),所述電流補(bǔ)償支路用于補(bǔ)償節(jié)點(diǎn)的電流,所述信號(hào)維持模塊提供小電流,用于維持建立的信號(hào)狀態(tài);所述電壓轉(zhuǎn)電流信號(hào)模塊包括左右兩條支路,左側(cè)電壓轉(zhuǎn)電流信號(hào)支路由PMOS管P1、NMOS管N3、NMOS管N5、電容C1、LDMOS管LD1、PMOS管P3、緩沖器buf構(gòu)成,右側(cè)電壓轉(zhuǎn)電流信號(hào)支路由PMOS管P2、NMOS管N4、NMOS管N6、電容C2、LDMOS管LD2、PMOS管P4、反相器inv構(gòu)成;所述P1的源端接電源電壓VDD,漏端接N5的漏端、LD1的源端,柵端buf的輸出端、inv的輸入端、N5的柵端、N4的柵端;所述C1的一端接節(jié)點(diǎn)C,另一端接地;所述N5的源端接節(jié)點(diǎn)C;所述LD1的柵端接電源電壓VDD,漏端接節(jié)點(diǎn)A;所述P3的源端接高側(cè)浮動(dòng)電源電壓VBST,柵端和漏端接節(jié)點(diǎn)A;所述N3管的漏端接節(jié)點(diǎn)C,源端接地,柵端接inv的輸入端、P2的柵端、N6的柵端;所述buf的輸入端接PWM;所述P2的源端接電源電壓VDD,漏端接N6的漏端、LD2的源端;所述C2的一端接節(jié)點(diǎn)D,另一端接地;所述N6的源端接節(jié)點(diǎn)D;所述LD2的柵端接電源電壓VDD,漏端接節(jié)點(diǎn)B;所述P4的源端接高側(cè)浮動(dòng)電源電壓VBST,柵端和漏端接節(jié)點(diǎn)B;所述N4管的漏端接節(jié)點(diǎn)D,源端接地;所述電流鏡像模塊包括PMOS管P3、PMOS管P5、PMOS管P4、PMOS管P6,所述P5的源端接高側(cè)浮動(dòng)電源電壓VBST,漏端接輸出節(jié)點(diǎn)OUT+,柵端接節(jié)點(diǎn)A;所述P6的源端接高側(cè)浮動(dòng)電源電壓VBST,漏端接輸出節(jié)點(diǎn)OUT-,柵端接節(jié)點(diǎn)B;所述推挽輸出模塊包括PMOS管P5、NMOS管N7、PMOS管P6、NMOS管N8,所述N7的源端接高側(cè)浮動(dòng)電源地VSW,漏端和柵端接輸出節(jié)點(diǎn)OUT+、N8的柵端;所述N8的源端接高側(cè)浮動(dòng)電源地VSW,漏端接輸出節(jié)點(diǎn)OUT-;所述電流補(bǔ)償支路包括左右兩條支路,左側(cè)電流補(bǔ)償支路補(bǔ)償節(jié)點(diǎn)A的電流,由PMOS管P7、PMOS管P9構(gòu)成;右側(cè)電流補(bǔ)償支路補(bǔ)償節(jié)點(diǎn)B的電流,由PMOS管P8、PMOS管P10構(gòu)成;所述P7的源端接高側(cè)浮動(dòng)電源電壓VBST,柵端接節(jié)點(diǎn)B,漏端接P9的源端;所述P9的柵端和漏端接節(jié)點(diǎn)A;所述P8的源端接高側(cè)浮動(dòng)電源電壓VBST,柵端接節(jié)點(diǎn)A,漏端接P10的源端;所述P10的柵端和漏端接節(jié)點(diǎn)B;所述信號(hào)維持模塊包括偏置電流源Ibias、NMOS管N0、NMOS管N1、NMOS管N2;所述偏置電流源Ibias的一端接電源電壓VDD,另一點(diǎn)接N0的漏端和柵端、N1的柵端、N2的柵端;所述N0的源端接地;所述N1的漏端接節(jié)點(diǎn)C,源端接地;所述N2的漏端接節(jié)點(diǎn)D,源端接地。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所,其通訊地址為:214000 江蘇省無錫市濱湖區(qū)惠河路5號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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