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龍圖騰網(wǎng)獲悉天狼芯半導體(成都)有限公司申請的專利一種絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN119451149B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-05-02發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202510025604.X，技術領域涉及：H10D12/00；該發(fā)明授權一種絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法是由原一帆設計研發(fā)完成，并于2025-01-08向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法，涉及半導體技術領域，本申請的絕緣柵雙極型晶體管，包括：襯底以及設置于襯底上的漂移層，漂移層包括貼合設置的N型漂移區(qū)和P型漂移區(qū)，N型漂移區(qū)的上表面與P型漂移區(qū)的上表面平齊，N型漂移區(qū)的上表面形成柵極結構和N型摻雜的第一阻擋區(qū)，P型漂移區(qū)上設置N型摻雜的第二阻擋區(qū)，第一阻擋區(qū)和第二阻擋區(qū)貼合設置，且第一阻擋區(qū)的N型摻雜濃度大于第二阻擋區(qū)的N型摻雜濃度，第一阻擋區(qū)和第二阻擋區(qū)上設置P型基區(qū)，P型基區(qū)上設置N型重摻雜區(qū)和P型重摻雜區(qū)。本申請?zhí)峁┑慕^緣柵雙極型晶體管及其制備方法，能夠在降低開通損耗的基礎上改善關斷損耗。

本發(fā)明授權一種絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，包括：襯底以及設置于所述襯底上的漂移層，所述漂移層包括貼合設置的N型漂移區(qū)和P型漂移區(qū)，所述N型漂移區(qū)的上表面與所述P型漂移區(qū)的上表面平齊，所述N型漂移區(qū)的上表面形成柵極結構和N型摻雜的第一阻擋區(qū)，所述P型漂移區(qū)上設置N型摻雜的第二阻擋區(qū)，所述第一阻擋區(qū)和所述第二阻擋區(qū)貼合設置，且所述第一阻擋區(qū)的N型摻雜濃度大于所述第二阻擋區(qū)的N型摻雜濃度，所述第一阻擋區(qū)和所述第二阻擋區(qū)上設置P型基區(qū)，所述P型基區(qū)上設置N型重摻雜區(qū)和P型重摻雜區(qū)；其中，所述第一阻擋區(qū)用于在所述絕緣柵雙極型晶體管導通時阻擋空穴流向所述P型基區(qū)，所述第二阻擋區(qū)用于在所述絕緣柵雙極型晶體管關斷時降低所述P型漂移區(qū)與所述第二阻擋區(qū)之間的勢壘高度。

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