天狼芯半導體(成都)有限公司原一帆獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉天狼芯半導體(成都)有限公司申請的專利一種絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119451149B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510025604.X，技術領域涉及：H10D12/00；該發明授權一種絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法是由原一帆設計研發完成，并于2025-01-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法，涉及半導體技術領域，本申請的絕緣柵雙極型晶體管，包括：襯底以及設置于襯底上的漂移層，漂移層包括貼合設置的N型漂移區和P型漂移區，N型漂移區的上表面與P型漂移區的上表面平齊，N型漂移區的上表面形成柵極結構和N型摻雜的第一阻擋區，P型漂移區上設置N型摻雜的第二阻擋區，第一阻擋區和第二阻擋區貼合設置，且第一阻擋區的N型摻雜濃度大于第二阻擋區的N型摻雜濃度，第一阻擋區和第二阻擋區上設置P型基區，P型基區上設置N型重摻雜區和P型重摻雜區。本申請提供的絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法，能夠在降低開通損耗的基礎上改善關斷損耗。
本發明授權一種絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，包括：襯底以及設置于所述襯底上的漂移層，所述漂移層包括貼合設置的N型漂移區和P型漂移區，所述N型漂移區的上表面與所述P型漂移區的上表面平齊，所述N型漂移區的上表面形成柵極結構和N型摻雜的第一阻擋區，所述P型漂移區上設置N型摻雜的第二阻擋區，所述第一阻擋區和所述第二阻擋區貼合設置，且所述第一阻擋區的N型摻雜濃度大于所述第二阻擋區的N型摻雜濃度，所述第一阻擋區和所述第二阻擋區上設置P型基區，所述P型基區上設置N型重摻雜區和P型重摻雜區；其中，所述第一阻擋區用于在所述絕緣柵雙極型晶體管導通時阻擋空穴流向所述P型基區，所述第二阻擋區用于在所述絕緣柵雙極型晶體管關斷時降低所述P型漂移區與所述第二阻擋區之間的勢壘高度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人天狼芯半導體(成都)有限公司，其通訊地址為：610095 四川省成都市高新區益州大道中段2555號2棟6層4號、5號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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