浙江奧首材料科技有限公司武文東獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉浙江奧首材料科技有限公司申請的專利一種半導體硅片蝕刻液、其制備方法與應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116333744B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211725718.8，技術領域涉及：C09K13/06；該發明授權一種半導體硅片蝕刻液、其制備方法與應用是由武文東;侯軍;田繼升設計研發完成，并于2022-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體硅片蝕刻液、其制備方法與應用在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體硅片蝕刻液、其制備方法與應用，本發明半導體硅片蝕刻液，包括重量配比如下的各組分：無機酸1?6份；銨鹽7?20份；有機酸30?40份；超純水30?60份。本發明半導體硅片蝕刻液的制備方法包括以下步驟：按照重量配比分別稱取各組份；先將超純水加入容器中，而后將其他組分加入容器，在攪拌下將容器的溫度穩定在20?40℃內，直至所有組分完全溶解，溶液呈無色或淡黃色，制備得到半導體硅片蝕刻液。本發明半導體硅片蝕刻液是一種安全、環保、高效的蝕刻液，該蝕刻液蝕刻速率穩定，蝕刻面平整，對粗糙硅表面具有化學拋光作用，可在半導體領域應用，能解決芯片硅襯底的減薄問題。
本發明授權一種半導體硅片蝕刻液、其制備方法與應用在權利要求書中公布了：1.一種半導體硅片蝕刻液，其特征在于，包括重量配比如下的各組分：無機酸1-6份；銨鹽7-20份；有機酸30-40份；超純水30-60份；所述無機酸包括A組分和B組分，所述A組分為氫氟酸，所述B組分為鹽酸、氫溴酸、碘酸、硫酸、磷酸、硝酸和高氯酸中的一種或幾種；所述有機酸為間苯三甲酸和2-巰基乙磺酸。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江奧首材料科技有限公司，其通訊地址為：324012 浙江省衢州市杜鵑路36號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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