京東方華燦光電(蘇州)有限公司肖云飛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉京東方華燦光電(蘇州)有限公司申請的專利改善發光效率的發光二極管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115763645B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211448280.3，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權改善發光效率的發光二極管及其制備方法是由肖云飛;賈勝敏;陸香花;梅勁設計研發完成，并于2022-11-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本改善發光效率的發光二極管及其制備方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種改善發光效率的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管的制備方法包括提供一襯底；在所述襯底上生長n型層；在所述n型層上交替生長多個量子阱層和多個量子壘層，形成發光層；在所述發光層上生長p型層；其中，所述量子阱層采用以下方式形成：形成第一InGaN層；向反應腔通入氫氣，在所述第一InGaN層上形成第二InGaN層；停止通入氫氣，在所述第二InGaN層上形成第三InGaN層。本公開實施例能提高電子空穴復合效率，提升發光二極管的發光效率。
本發明授權改善發光效率的發光二極管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：提供一襯底；在所述襯底上生長n型層；在所述n型層上交替生長多個量子阱層和多個量子壘層，形成發光層；在所述發光層上生長p型層；其中，所述量子阱層采用以下方式形成：形成第一InGaN層；向反應腔通入氫氣，在所述第一InGaN層上形成第二InGaN層；停止通入氫氣，在所述第二InGaN層上形成第三InGaN層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人京東方華燦光電(蘇州)有限公司，其通訊地址為：215600 江蘇省蘇州市張家港市經濟開發區晨豐公路28號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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