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恭喜北京時代全芯存儲技術(shù)股份有限公司;江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司廖昱程獲國家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)恭喜北京時代全芯存儲技術(shù)股份有限公司;江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司申請的專利相變化存儲器及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN114762142B

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-07-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:201980101742.4,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10N70/20;該發(fā)明授權(quán)相變化存儲器及其制造方法是由廖昱程;劉峻志;李宜政;邱泓瑜設(shè)計研發(fā)完成,并于2019-11-15向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

相變化存儲器及其制造方法在說明書摘要公布了:一種相變化存儲器1,包括下電極20、加熱器30、相變化層50以及上電極70。加熱器30耦接于下電極20。相變化層50形成于加熱器30上方,且相變化層50耦接于加熱器30。上電極70設(shè)置于相變化層50的凹槽510內(nèi),且上電極70耦接于相變化層50。

本發(fā)明授權(quán)相變化存儲器及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種相變化存儲器,其中,包括: 下電極; 加熱器,耦接于所述下電極; 相變化層,形成于所述加熱器上方,所述相變化層耦接于所述加熱器,且所述相變化層具有凹槽; 上電極,設(shè)置于所述相變化層的所述凹槽內(nèi),且所述上電極耦接于所述相變化層;以及 第一熱絕緣層,圍繞所述相變化層的外側(cè)面周圍; 其中,所述相變化層包括頭部以及頸部,所述頸部的最大線寬小于所述頭部的最小線寬,且所述凹槽形成于所述頭部中并與所述頸部的水平面齊平。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人北京時代全芯存儲技術(shù)股份有限公司;江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司,其通訊地址為:100094 北京市海淀區(qū)豐豪東路9號院2號樓8層4單元802;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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