恭喜至微半導體(上海)有限公司廖世保獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜至微半導體(上海)有限公司申請的專利一種梯度結構的晶圓的蝕刻方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114420553B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111674436.5，技術領域涉及：H01L21/306；該發明授權一種梯度結構的晶圓的蝕刻方法是由廖世保;徐銘;鄧信甫設計研發完成，并于2021-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種梯度結構的晶圓的蝕刻方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種梯度結構的晶圓的蝕刻方法，涉及到半導體技術領域，包括：S1、控制晶圓旋轉，通過第一噴頭將酸蝕刻液噴在晶圓的上表面，并驅動第一噴頭呈弧形往復擺動，同時向晶圓的上表面中心位置以及邊緣區域噴射熱氣流；S2、通過第二噴頭將酸蝕刻液噴在水平臺階面，并控制第二噴頭沿晶圓的邊緣方向往復擺動；S3、通過第三噴頭將酸蝕刻液傾斜噴射在豎直臺階面上。本發明中，在晶圓進行蝕刻時向晶圓的表面以及邊緣位置通入熱氣流，實現加溫動作，且通過第一噴頭、第二噴頭的擺動以及第三噴頭的傾斜角度，能夠使得酸蝕刻液充分的覆蓋在晶圓的表面以及臺階面上，能夠提高蝕刻效果。
本發明授權一種梯度結構的晶圓的蝕刻方法在權利要求書中公布了：1.一種梯度結構的晶圓的蝕刻方法，所述晶圓的上表面的邊緣具有臺階面，所述臺階面包括相互連接的水平臺階面和豎直臺階面，其特征在于，包括：S1、控制所述晶圓旋轉，通過第一噴頭將酸蝕刻液噴在所述晶圓的上表面，并驅動所述第一噴頭呈弧形往復擺動，同時向所述晶圓的上表面中心位置以及邊緣區域噴射熱氣流；S2、通過第二噴頭將酸蝕刻液噴在所述水平臺階面，并控制所述第二噴頭沿所述晶圓的邊緣方向往復擺動；所述第二噴頭的軸線與所述水平臺階面垂直；S3、通過第三噴頭將酸蝕刻液傾斜噴射在所述豎直臺階面上；所述第三噴頭的軸線指向所述水平臺階面與所述豎直臺階面之間的夾角處。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人至微半導體(上海)有限公司，其通訊地址為：200241 上海市閔行區紫海路170號1幢3層03室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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